| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 11:40 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大）  SDM2013-124 |
|
| 抄録 | （和） | 高誘電率ゲート絶縁膜は，低温多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の性能向上のためのテクノロジ・ブースタである．一方で，連続波レーザラテラル結晶化（CLC）が高品質のラテラル大粒径多結晶Si薄膜を形成するための強力な手段であることは既に報告されている．我々は，二つの技術を組み合わせて電界効果移動度が140 cm2/Vs，s値が240 mV/decという優れた性能を実現した．これらは，high-k CLC LT poly-Si TFTの可能性を示すものである． |
| （英） | A high-k gate dielectric is a technology booster for enhancing the performance of low-temperature (LT) polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs). Continuous-wave laser lateral crystallization (CLC) had already been reported as a powerful tool for forming high-quality lateral large-grained poly-Si thin films. We combined these two technologies and achieved high performance with s.s.=240 mV/dec and field-effect mobility of 140 cm2/Vs. These demonstrated the feasibility of high-k CLC LT poly-Si TFTs. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / 低温多結晶Si / レーザ結晶化 / SiO_2 / Al_2O_3 / / / |
| （英） | TFT / LTPS / Laser Crystallization / SiO_2 / Al_2O_3 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-124, pp. 49-53, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-124 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-124 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temprature CLC Poly-Si TFTs with Sputtered Al2O3 Gate Dielectric Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | 低温多結晶Si / LTPS |
| キーワード(3)（和/英） | レーザ結晶化 / Laser Crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | SiO_2 / SiO_2 |
| キーワード(5)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 達也 / Tatsuya Meguro / メグロ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-124 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]