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講演抄録/キーワード
講演名 2013-12-13 10:40
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製
山本悠貴西村英紀岡村隆徳福永圭吾冬木 隆奈良先端大SDM2013-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-121
抄録 (和) n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にドーピングを容易に行うことのできるレーザーを用いてボロンドーピングを行い太陽電池を作製した。また、このレーザープロセスにおいてシリコン基板上に塗布する不純物拡散源となる膜の再現性が問題となっており、膜の制御および評価が重要である。そこで本研究では均一に成膜可能で制御も容易なスパッタリング法を用いて基板上の膜を制御し、太陽電池特性への影響を解析する。 
(英) To fabricate the n-type solar cells by boron doping with conventional diffusion process is difficult because of low diffusion coefficient of boron. So boron doped solar cells was fabricated by laser doping which is easy to dope locally. In this case, it is important to control and evaluate the film of impurities diffusion source. Because the reproducibility of film formed by the conventional membrane making method was not good, and it is problem in laser doping. Sputtering process is easy to form film uniformly and control film. In this study, we controlled the film on Si substrate using sputtering process, and analyze influence on solar cells.
キーワード (和) 太陽電池 / レーザードーピング / N-type / スパッタリング / / / /  
(英) Solar cell / Laser doping / N-type / Sputtering process / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-121, pp. 31-35, 2013年12月.
資料番号 SDM2013-121 
発行日 2013-12-06 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-121

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-12-13 - 2013-12-13 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si related materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of n-type Silicon Solar Cells by boron doping method using laser process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(2)(和/英) レーザードーピング / Laser doping  
キーワード(3)(和/英) N-type / N-type  
キーワード(4)(和/英) スパッタリング / Sputtering process  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 悠貴 / Yuki Yamamoto / ヤマモト ユウキ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 英紀 / Hideki Nishimura / ニシムラ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡村 隆徳 / Takanori Okamura / オカムラ タカノリ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福永 圭吾 / Keigo Fukunaga / フクナガ ケイゴ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-12-13 10:40:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-121 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.351 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数
発行日 2013-12-06 (SDM) 


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