講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-12-13 10:40
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆(奈良先端大) SDM2013-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-121 |
抄録 |
(和) |
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にドーピングを容易に行うことのできるレーザーを用いてボロンドーピングを行い太陽電池を作製した。また、このレーザープロセスにおいてシリコン基板上に塗布する不純物拡散源となる膜の再現性が問題となっており、膜の制御および評価が重要である。そこで本研究では均一に成膜可能で制御も容易なスパッタリング法を用いて基板上の膜を制御し、太陽電池特性への影響を解析する。 |
(英) |
To fabricate the n-type solar cells by boron doping with conventional diffusion process is difficult because of low diffusion coefficient of boron. So boron doped solar cells was fabricated by laser doping which is easy to dope locally. In this case, it is important to control and evaluate the film of impurities diffusion source. Because the reproducibility of film formed by the conventional membrane making method was not good, and it is problem in laser doping. Sputtering process is easy to form film uniformly and control film. In this study, we controlled the film on Si substrate using sputtering process, and analyze influence on solar cells. |
キーワード |
(和) |
太陽電池 / レーザードーピング / N-type / スパッタリング / / / / |
(英) |
Solar cell / Laser doping / N-type / Sputtering process / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-121, pp. 31-35, 2013年12月. |
資料番号 |
SDM2013-121 |
発行日 |
2013-12-06 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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