| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2013-12-13 10:40
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆(奈良先端大) SDM2013-121 |
| 抄録 |
(和) |
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にドーピングを容易に行うことのできるレーザーを用いてボロンドーピングを行い太陽電池を作製した。また、このレーザープロセスにおいてシリコン基板上に塗布する不純物拡散源となる膜の再現性が問題となっており、膜の制御および評価が重要である。そこで本研究では均一に成膜可能で制御も容易なスパッタリング法を用いて基板上の膜を制御し、太陽電池特性への影響を解析する。 |
| (英) |
To fabricate the n-type solar cells by boron doping with conventional diffusion process is difficult because of low diffusion coefficient of boron. So boron doped solar cells was fabricated by laser doping which is easy to dope locally. In this case, it is important to control and evaluate the film of impurities diffusion source. Because the reproducibility of film formed by the conventional membrane making method was not good, and it is problem in laser doping. Sputtering process is easy to form film uniformly and control film. In this study, we controlled the film on Si substrate using sputtering process, and analyze influence on solar cells. |
| キーワード |
(和) |
太陽電池 / レーザードーピング / N-type / スパッタリング / / / / |
| (英) |
Solar cell / Laser doping / N-type / Sputtering process / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-121, pp. 31-35, 2013年12月. |
| 資料番号 |
SDM2013-121 |
| 発行日 |
2013-12-06 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2013-121 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地(和) |
奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地(英) |
NAIST |
| テーマ(和) |
シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ(英) |
Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2013-12-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Fabrication of n-type Silicon Solar Cells by boron doping method using laser process |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(2)(和/英) |
レーザードーピング / Laser doping |
| キーワード(3)(和/英) |
N-type / N-type |
| キーワード(4)(和/英) |
スパッタリング / Sputtering process |
| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山本 悠貴 / Yuki Yamamoto / ヤマモト ユウキ |
| 第1著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西村 英紀 / Hideki Nishimura / ニシムラ ヒデキ |
| 第2著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡村 隆徳 / Takanori Okamura / オカムラ タカノリ |
| 第3著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
福永 圭吾 / Keigo Fukunaga / フクナガ ケイゴ |
| 第4著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2013-12-13 10:40:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2013-121 |
| 巻番号(vol) |
vol.113 |
| 号番号(no) |
no.351 |
| ページ範囲 |
pp.31-35 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2013-12-06 (SDM) |