| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 10:00 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2013-119 |
|
| 抄録 | （和） | シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能であるため、高効率太陽電池の実現における重要な構造として注目されている。これまでVapor-Liquid-Solid(VLS)機構によるNWの形成では、形成起点となる金属として主に金が使用されてきた。しかし、金はシリコンの禁制帯に深い準位を形成し、キャリアの再結合を促すため太陽電池特性を劣化させる要因となる。そこで、シリコン中に0.16 eVの浅い準位を形成し、アクセプタとして機能するインジウム(In)を形成起点となる金属に選定した。本研究ではInを用いたSi-NWの形成における水素ラジカル処理の有用性について検討し、スパッタリング法により形成したSi-NWの結晶構造解析を行った。 |
| （英） | A silicon nanowire (Si-NW) structure is one of the key structures to improve conversion efficiency in silicon solar cell. Band gap energies of Si-NW can be controlled easily by the diameter of the structure. The Si-NW has been usually synthesized by Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth using gold as metal catalyst. But the diffusion length of minority carriers becomes short due to the deep ionization energy of gold in the silicon band gap. Indium is a candidate of a metal catalyst, which has a shallow acceptor level, acts as acceptor. In this study, we have investigated the effects of hydrogen radical treatment for Si-NW growth by VLS mode using indium dots. Subsequently, SiNWs were synthesized by sputtering and the crystal structure of Si-NW was analyzed. | |
| キーワード | （和） | シリコンナノワイヤー / Vapor-Liquid-Solid機構 / インジウム / 水素ラジカル / スパッタリング / / / |
| （英） | Silicon nanowire / Vapor-Liquid-Solid mechanism / Indium / Hydrogen radical / Sputtering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-119, pp. 19-23, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-119 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-119 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Silicon nanowire growth by vapor liquid solid mode using indium dots |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンナノワイヤー / Silicon nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | Vapor-Liquid-Solid機構 / Vapor-Liquid-Solid mechanism |
| キーワード(3)（和/英） | インジウム / Indium |
| キーワード(4)（和/英） | 水素ラジカル / Hydrogen radical |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福永 圭吾 / Keigo Fukunaga / フクナガ ケイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 尚文 / Naofumi Okamoto / オカモト ナオフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷 あゆみ / Ayumi Tani / タニ アユミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara institute of science and technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-119 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]