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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 17:00 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2013-132 |
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| 抄録 | （和） | シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の制御はほとんど実現されておらず，報告例も少ない．本研究では，SiC/酸化膜界面欠陥を低減するために窒素およびリンを導入した4H-SiC MOSFETに対して様々な条件でゲート電圧を印加し，しきい値電圧の不安定性について調査した．リン導入試料と窒素導入試料のしきい値変動の傾向に違いが見られ，その原因について考察した． |
| （英） | 4H-SiC MOSFETs are expected as low loss power devices with high blocking voltage. Threshold voltage instability is one of the crucial issues to realize stable MOSFET operation. In this work, we examined the threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs with POCl3- and NO- annealed gate oxides by bidirectional Id-Vg measurements under a variety of measurement conditions. Different characteristics in the threshold voltage instability were observed, and we discussed the origin of its instability. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / しきい値電圧 / POCl3アニール / / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / threshold voltage / POCl3- anneal / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-132, pp. 97-100, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-132 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-132 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study of Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with POCl3- and NO-Annealed Gate Oxides |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | POCl3アニール / POCl3- anneal |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金藤 夏子 / Natsuko Kanafuji / |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 愛 / Ai Osawa / |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 17:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-132 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.97-100 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
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