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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-13 09:20 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 ○吉嗣晃治・梅原智明・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2013-117 |
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| 抄録 | （和） | 原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して，堆積後熱処理として高圧水蒸気処理 (High pressure water vapor annealing: HPWVA)を検討した．MISダイオードを用いて絶縁特性を評価した結果，低ゲートリーク且つ高絶縁破壊電圧を実現し，O2やN2雰囲気下での熱処理と比較して，高い改質効果が得られることを見出した．さらに高周波C-V特性より，HPWVA処理はC-Vヒステリシス幅を減少させ，浅いレベルの界面準位密度を一桁以上低減させることを明らかにした．これは，HPWVA処理後に形成される高品質界面層に因るものと考えられる． |
| （英） | In this paper, we investigated the effect of high pressure water vapor annealing (HPWVA) as a post deposition annealing to Al2O3 film deposited on n-GaN by atomic layer deposition (ALD). As a result of insulating properties, low gate leakage current and high breakdown voltage were achieved in ALD-Al2O3/n-GaN MIS diodes. Compared to O2 or N2 ambient annealing, it was clarified that film reforming of high effect was obtained in HPWVA. From the high frequency C-V characteristics, hysteresis width and interface trap density in the shallow level decreased drastically in HPWVA. High quality interface can be attributed to the formed interfacial layer after the HPWVA. | |
| キーワード | （和） | 高圧水蒸気処理 / 原子層堆積法 / Al2O3 / ゲート絶縁膜 / GaN / / / |
| （英） | High pressure water vapor annealing / Atomic layer deposition / Al2O3 / Gate dielectric / GaN / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 351, SDM2013-117, pp. 7-11, 2013年12月. | |
| 資料番号 | SDM2013-117 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of ALD-Al2O3 gate dielectric on n-GaN treated by high pressure water vapor annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高圧水蒸気処理 / High pressure water vapor annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 原子層堆積法 / Atomic layer deposition |
| キーワード(3)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate dielectric |
| キーワード(5)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉嗣 晃治 / Koji Yoshitsugu / ヨシツグ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅原 智明 / Tomoaki Umehara / ウメハラ トモアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 09:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-117 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-12-06 (SDM) |
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