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| 講演名 | 2013-12-13 14:25 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550 nm帯20層積層QD-SOAの特性評価 ○松本 敦・松下明日香・武井勇樹（早大）・赤羽浩一（NICT）・松島裕一・宇高勝之（早大）  LQE2013-133 |
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| 抄録 | （和） | 光論理ゲート素子に向け、歪補償技術を用いて量子ドット（QD）を20層積層した量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）を作製し、その基本的な特性を評価した。作製したQD-SOAの素子長は1650 mであり、波長1558 nm の光を入射し、500 mA 程度の電流を注入した際、最大利得は20 dBであり、利得係数としては27.9 cm-1 が得られた。また、パルス幅360fsのフェムト秒パルスレーザ光をQD-SOAに入射させ自己相関波形を観察した結果、入射光に比べ増加したパルス幅は55fs程度であった。 |
| （英） | In this paper, we fabricated the QD-SOA which utilized the 20-layer-stacked quantum dots structure with the strain-compensation technique for the purpose of all optical logic gate device, and measured the fundamental characteristics of the QD-SOA. The device length of fabricated QD-SOA was 1650 m, and when the input light, whose wavelength was 1558 nm, input the QD-SOA, which was driven by 500 mA of injection current, the maximum gain of 20 dB and the modal gain coefficient of 27.9 cm-1 were obtained. And also, we input femto-second pulse laser light into QD-SOA and observed the auto-correlation waveforms. Compared to the input pulse light, output light from SOA was broadened by 15 %, 55 fs. | |
| キーワード | （和） | 光論理ゲート / 量子ドット / 半導体光増幅器 / / / / / |
| （英） | Optical Logic Gate / Quantum Dots / Semiconductor Optical Amplifier / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 352, LQE2013-133, pp. 41-44, 2013年12月. | |
| 資料番号 | LQE2013-133 | |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2013-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2013-12-13 - 2013-12-13 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術,及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2013-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550 nm帯20層積層QD-SOAの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental Characteristics of 1550nm-Band 20-Layer-Stacked QD-SOA Grown on InP(311)B Substrate for All-Optical Logic Gate Device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光論理ゲート / Optical Logic Gate |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor Optical Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / マツモト アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 明日香 / Asuka Matsushita / マツシタ アスカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武井 勇樹 / Yuki Takei / タケイ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 (略称： NICT) National Inst. of Information and Communications Tech. (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima / マツシマ ユウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka / ウタカ カツユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-13 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2013-133 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2013-12-06 (LQE) |
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