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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-12-20 14:20 λ/4インバータを用いない小型・広帯域並列負荷型 GaN HEMT ドハティ電力増幅器 ○井口洋輔・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2013-173 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波ドハティ増幅器は，従来，キャリア増幅器(CA)とピーク増幅器(PA)，及びλ/4インピーダンス変換回路により構成されている．最近，我々は，λ/4インピーダンス変換回路を用いないドハティ増幅器を提案し[2][3]，広帯域直列接続負荷形ドハティ増幅器により小型・広帯域化を実現している[4][5]．本報告では， AlGaN/GaN HEMTを用いた1．9GHz帯並列接続負荷型ドハティ増幅器を二RFレベル回路設計及び製作し，更なる小型化の実現と310MHz帯で最大出力30dBm以上電力付加効率50%以上，最大効率から6dB入力バックオフレベルにおいて，230MHz帯で50%以上，320MHz帯で40%以上の広帯域特性を達成した． |
| （英） | The conventional microwave Doherty power amplifier (DA) consist of a carrier amplifier (CA), a peaking amplifier (PA) and a quarter-wave transformer. Recently we reported a novel DA topology without the quarter-wave transformer, fabricated the Gan HEMT series-connected type Doherty amplifier and realized the enhancement of amplifier bandwidth and a compact amplifier size. In this paper, a 1.9-GHz shunt-connection-type Doherty amplifier without a quarter-wave transformer is designed and fabricated to realize high performance both at a low signal and saturated signal power-levels and fabricated using GaN HEMTs. The amplifier achieved a compact size, a maximum power added efficiency (PAE) higher than 50% is obtained for a 310 MHz bandwidth. A PAE under a 6-dB input back-off from an input power at maximum PAE higher than 50% is obtained for a 230 MHz bandwidth and higher than 40% is obtained for a 320 MHz bandwidth. | |
| キーワード | （和） | ドハティ増幅器 / マイクロ波 / 電力増幅器 / GaN HEMT / 並列接続負荷型 / 広帯域 / / |
| （英） | Dohaerty Amplifier / microwave / power amplifier / GaN HEMT / shunt-connected load type / broadband / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 365, MW2013-173, pp. 121-126, 2013年12月. | |
| 資料番号 | MW2013-173 | |
| 発行日 | 2013-12-12 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2013-173 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2013-12-19 - 2013-12-20 |
| 開催地（和） | 埼玉大学 |
| 開催地（英） | Saitama Univ. |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies / Student |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2013-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | λ/4インバータを用いない小型・広帯域並列負荷型 GaN HEMT ドハティ電力増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Compact Broadband Shunt-Connected Load Type GaN HEMT Doherty Amplifier without Quarter-Wave Impedance Inverting Network |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ増幅器 / Dohaerty Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(3)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 並列接続負荷型 / shunt-connected load type |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井口 洋輔 / Yosuke Iguchi / イグチ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-20 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2013-173 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | pp.121-126 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-12 (MW) |
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