講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-12-20 14:00
高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析 ○武田浩太郎・開 達郎・土澤 泰・西 英隆・高 磊・福田 浩・山本 剛(NTT)・石川靖彦・和田一実(東大)・山田浩治(NTT) OPE2013-140 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2013-140 |
抄録 |
(和) |
本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード(Ge-PD)を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバンドにおける感度を測定した。Ge-PDは15Vの駆動電圧下で1.14 A/Wを超える感度をCおよびLバンドで示した。理論式からGe-PDの感度を計算し、計算結果が測定結果と合致したことから、この高い感度がフランツ・ケルディッシュ効果とアバランシェ効果による増幅によって引き起こされたと結論付けた。更に符号誤り率の計算結果からGe-PDの最小受光感度を算出した。これらの結果から、両効果と暗電流、および最小受光感度の関係について議論を行った。 |
(英) |
We demonstrate a responsivity of germanium photodiode (GePD) with a silicon waveguide in the C- and L-band under high-voltage reverse bias driving. At a bias of 15 V, the germanium photodiode exhibits responsivity of over 1.14 A/W in the entire C- and L-bands. The high responsivity in the L-band is due to Franz-Keldysh (F-K) effect and avalanche effect. We proved that the high responsivity under high bias driving is due to both effects by numerical calculation. For accurate calculation, a change in thickness of depression layer in germanium mesa with bias voltage was considered. Calculation results considering the contributions of both effects show good agreement with measurement results. Considering contributions of both effects to minimum detection limit, optimization for dark current and electric field applied to Ge is discussed. |
キーワード |
(和) |
ゲルマニウムフォトダイオード / フランツ・ケルディッシュ効果 / アバランシェ効果 / / / / / |
(英) |
Germanium photodiode / Franz-Keldysh effect / Avalanche effect / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 370, OPE2013-140, pp. 13-18, 2013年12月. |
資料番号 |
OPE2013-140 |
発行日 |
2013-12-13 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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