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| 講演名 | 2013-12-20 13:55 2GHz帯リアクティブ終端型高効率GaN HEMT増幅器の試作と周波数特性の考察 ○矢尾知博・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2013-172 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2013-172 |
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| 抄録 | （和） | 一般的に，分布定数線路を用いた増幅器で高効率を実現する場合増幅器の帯域が狭くなる傾向がある．特に高次高調波処理を行ったリアクティブ終端型の増幅器は顕著である．本研究では，分布定数線路の周波数特性が増幅器の周波数帯域に与える影響を確かめるために，分布定数線路を用いて入力側は2倍波，出力側は3倍波までリアクティブ終端処理を施した2GHz帯10W級および30W級GaN HEMT増幅器の試作を行った．その結果10W級増幅器では，1.95GHzにおいてドレイン効率81%，30W級増幅器では，1.98GHzにおいてドレイン効率77%が得られた．そして，入力側2倍波インピーダンスの少量の変化が帯域の減少に大きな影響を与えることを確認した． |
| （英） | For microwave power amplifiers, if higher-order harmonics are treated to increase efficiency by using any distributed transmission lines, the operation bandwidth tends to be narrowed. In this work, to investigate the relationship between the frequency characteristic of distributed transmission lines and efficiency, 10-W & 30-W class power amplifiers with harmonic reactive terminations were fabricated by considering up to 2nd-order harmonics at source-side and up to 3rd-order harmonics at load-side with distributed transmission lines. As a results, fabricated 10-W and 30-W class GaN HEMT amplifiers exhibited a maximum drain efficiency of 81% at 1.98 GHz and 77% at 1.95 GHz, respectively. In addition, a drastic change of efficiency caused by the slight change of source-side 2nd-order harmonic impedance was observed. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 電力増幅器 / 高効率 / 高調波処理 / / / / |
| （英） | Microwave / Power amplifier / High efficiency / Harmonics tuning / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 365, MW2013-172, pp. 115-120, 2013年12月. | |
| 資料番号 | MW2013-172 | |
| 発行日 | 2013-12-12 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2013-172 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2013-172 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2013-12-19 - 2013-12-20 |
| 開催地（和） | 埼玉大学 |
| 開催地（英） | Saitama Univ. |
| テーマ（和） | 学生研究会／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies / Student |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2013-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2GHz帯リアクティブ終端型高効率GaN HEMT増幅器の試作と周波数特性の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Frequency Characteristic of Power Efficiency for 2 GaN Band GaN HEMT Amplifier with Harmonic Reactive Termination |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 高効率 / High efficiency |
| キーワード(4)（和/英） | 高調波処理 / Harmonics tuning |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢尾 知博 / Tomohiro Yao / ヤオ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-12-20 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2013-172 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | pp.115-120 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-12-12 (MW) |
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