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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-16 11:20 MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大）  ED2013-115 MW2013-180 |
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| 抄録 | （和） | 次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、トライゲート構造による優れた電流制御性と、MOVPE再成長を用いてチャネル層を覆う形で配置されたn+-InGaAsソース領域による高い電流供給能力を併せ持つデバイス構造を提案する。本報告では立体型チャネル構造へのソース再成長プロセスと、これを用いて試作したデバイスの電流特性について報告する。 |
| （英） | InGaAs MOSFETs are attractive candidate for future high-speed and low-power-consumption devices. To enhance the performance of that, we propose a novel device structure contains superior current controllability due to tri-gate structure and high current drivability due to n+-InGaAs source surrounding the non-planar channel. In this report, we demonstrate the source regrowth process for non-planar channel structure and current characteristics of the device fabricated by using regrowth. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / InGaAs / 高移動度チャネル / マルチゲートデバイス / MOVPE / / / |
| （英） | MOSFET / InGaAs / high mobility channel / multigate device / MOVPE / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 378, ED2013-115, pp. 29-33, 2014年1月. | |
| 資料番号 | ED2013-115 | |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-115 MW2013-180 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2014-01-16 - 2014-01-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power devices, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| キーワード(4)（和/英） | マルチゲートデバイス / multigate device |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三嶋 裕一 / Yuichi Mishima / ミシマ ユウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 治紀 / Haruki Kinoshita / キノシタ ハルキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上原 英治 / Eiji Uehara / ウエハラ エイジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-16 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-115, MW2013-180 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.378(ED), no.379(MW) |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) |
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