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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-16 14:50 阻止帯域可変型デュアルバンド低雑音差動増幅器 ○坂本和良・庄司有希・伊藤康之（湘南工科大）  ED2013-120 MW2013-185 |
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| 抄録 | （和） | 次世代のマルチバンド・マルチモード送受信機用に，阻止帯域可変デュアルバンド低雑音差動増幅器を開発したので報告する．帯域内の不要な信号をマルチバンドで抑圧するために，バラクタダイオード装荷バイアス回路およびデュアルバンド共振器を提案する．本増幅器は3バンドの阻止帯域，2バンドの通過帯域を有し，バイアス回路およびデュアルバンド共振器に装荷されたバラクタダイオードの容量を変化させることにより，3バンドの阻止帯域を独立して変化させることができる特徴がある．0.35m SiGe HBTおよび容量変化比が2.5:1のSiバラクタダイオードを用いて阻止帯域可変デュアルバンド低雑音差動増幅器を設計，試作，評価した結果，0.35～0.63GHzの低域において43.7dBの利得抑圧，0.61～1.17GHzの中域において25.5dBの利得抑圧，1～2.5GHzの高域において27dBの利得抑圧を得ることができた．本手法は差動増幅器の阻止帯域を独立して変化できるため，今後のマルチバンド・マルチモード送受信機におけるスプリアス抑圧や電磁干渉の低減に有効と考えられる． |
| （英） | A stopband-tunable dual-band low-noise differential amplifier has been developed for the next generation adaptive and/or reconfigurable wireless radios. It employs varactor-tuned bias circuits and dual-band resonators in the design of low-noise differential amplifiers for suppressing the unwanted signals adjacent to the carrier signals. The amplifier has dual-passband and triple-stopband performances. Lower, middle and higher stopbands can be independently tuned by varactor-tuned base and collector bias circuits and shunt capacitance, respectively. With the use of 0.35m SiGe HBTs and Si varactor diodes with a capacitance ratio of 2.5, a lower stopband with a maximal gain suppression of 43.7dB for 0.35 to 0.63GHz, a middle stopband with a maximal gain suppression of 25.5dB over 0.61 to 1.17GHz, and a higher stopband with a maximal gain suppression of 27dB across 1 to 2.5GHz have been successfully achieved. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 差動増幅器 / 阻止帯域可変 / SiGe HBT / マルチバンド / リコンフィギュラブル / / |
| （英） | microwaves / differential amplifier / stopband-tunable / SiGe HBT / multi-band / reconfigurable / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 379, MW2013-185, pp. 57-60, 2014年1月. | |
| 資料番号 | MW2013-185 | |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-120 MW2013-185 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2014-01-16 - 2014-01-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power devices, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2014-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 阻止帯域可変型デュアルバンド低雑音差動増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Stopband-Tunable Dual-Band Low-Noise Differential Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwaves |
| キーワード(2)（和/英） | 差動増幅器 / differential amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 阻止帯域可変 / stopband-tunable |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe HBT / SiGe HBT |
| キーワード(5)（和/英） | マルチバンド / multi-band |
| キーワード(6)（和/英） | リコンフィギュラブル / reconfigurable |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 和良 / Kazuyoshi Sakamoto / サカモト カズヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technilogy (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 庄司 有希 / Yuki Shoji / ショウジ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technilogy (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 康之 / Yasushi Itoh / イトウ ヤスシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technilogy (略称： Shonan Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-16 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2013-120, MW2013-185 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.378(ED), no.379(MW) |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-01-09 (ED, MW) |
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