| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2014-01-24 14:18
高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性 ○梅原直己・桑原伊織・李 惠映・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦(静岡大) EID2013-14 |
| 抄録 |
(和) |
BCl3とNH3を原料とする常圧の化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った.成長温度は1300~1700 °Cであり,同じ温度でNH3による基板表面の窒化を行った後に成長を開始した.X線回折の成長温度依存性から,成長温度の上昇に伴い結晶化が促進され,1500 °Cでc軸に強く配向した薄膜が得られた.しかしさらに高い温度では,過度の基板窒化による結晶性の劣化が示唆された.カソードルミネッセンス特性は結晶性と相関があり,1500 °Cで作製した試料において,h-BNからの明確な発光が観測された. |
| (英) |
Hexagonal boron nitride (h-BN) thin films have been grown on a c-plane sapphire substrate by atmospheric-pressure chemical vapor deposition using BCl3 and NH3 as precursors. The growth temperature (Tg) was varied from 1300 to 1700 °C. Prior to growth, the substrate surface was nitrided in a NH3 flow at Tg. The XRD measurement has indicated that the crystallization is promoted with increasing Tg from 1300 C, resulting in the growth of the film strongly oriented towards c-axis at 1500 °C. However, the further increase of Tg deteriorated the crystalline quality, which suggests the excessive nitridation of the substrate surface. The cathodoluminescence property has a correlation with the crystalline quality. The pronounced emission band characteristic of h-BN was also observed from the film grown at 1500 °C. |
| キーワード |
(和) |
六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / カソードルミネッセンス / / / / |
| (英) |
hexagonal boron nitride / CVD / thin film / cathodoluminescence / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 408, EID2013-14, pp. 25-28, 2014年1月. |
| 資料番号 |
EID2013-14 |
| 発行日 |
2014-01-17 (EID) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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EID2013-14 |