講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-28 15:00
[ポスター講演]強誘電体メモリの高速回路技術 ○中川知己・吉本秀輔・北原佑起・柳田晃司・和泉慎太郎・川口 博・吉本雅彦(神戸大) ICD2013-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-115 |
抄録 |
(和) |
近年,農業・医療・防災といった分野において,実フィールドの情報を広範囲にカバー可能な,センサネットワーク技術が注目されている.各センサノードはバッテリの交換が困難なため,極低電力な動作が求められる.
中でも,待機時電力の大きなメモリの低消費電力化技術が重要視されている.
本研究では,6T4Cシャドウメモリにおける高性能化回路技術の提案を行う.強誘電体キャパシタを用いた6T4C SRAMは,アクティブ時に高速なSRAMとして動作し,スリープ時にはFe素子にデータをストアし不揮発メモリとして動作出来る.従来6T4C SRAMではFe素子の追加により,SRAM動作時のサイクルタイムが劣化するという問題があった.本論文では,シミュレーションにより提案技術の有効性を示す. |
(英) |
In recent years, sensor network has attracted much attention in agricultural, medical, and disaster-prevention area to collect on-field information. Each sensor node requires extremely low-power operation because its battery size is limited. In the sensor node chip, memory consumes large leakage power so a low-power memory technique is strongly required.
This paper presents a novel low-power technique for a ferroelectric 6T4C shadow SRAM. The shadow SRAM works a high-speed SRAM in an active mode and a nonvolatile FeRAM in a sleep mode. The nonvolatility completely removes the leakage current from the memory. However, the ferroelectric capacitors decrease the cycle time of the SRAM. In this paper, the proposed technique is evaluated by SPICE simulation results. |
キーワード |
(和) |
FeRAM / 6T4C / シャドウメモリ / / / / / |
(英) |
FeRAM / 6T4C / Shadow Memory / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-115, pp. 39-39, 2014年1月. |
資料番号 |
ICD2013-115 |
発行日 |
2014-01-21 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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