講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-01-29 10:25
[招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs ○入沢寿史・小田 穣・池田圭司・守山佳彦・三枝栄子・W Jevasuwan・前田辰郎(産総研)・市川 麿・長田剛規・秦 雅彦(住友化学)・宮本恭幸(東工大)・手塚 勉(産総研) SDM2013-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-137 |
抄録 |
(和) |
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に作製する事に成功した.三角形状チャネルは微細InGaAs-OI Fin構造にMOVPE成長を施す事で形成した.形成された(111)B面の移動度は,通常トライゲート素子比1.9倍,バルク(100)素子比1.6倍の値を示した.ノイズ特性やヒステリシス特性の結果から,この移動度増大は伝導帯中の界面準位低減とそれによるキャリアトラップの減少によりもたらされている事が示唆された.また,チャネル長300 nmの素子において,930 uA/um (@Vg = 2.0 V, Vd = 0.5 V)という高いオン電流が確認され,高性能・低消費電力CMOS応用へ向けた本素子の高い潜在能力が示された. |
(英) |
riangular In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETs with smooth (111)B side surfaces on Si have been successfully fabricated. The triangular shaped channels with bottom width down to 30 nm were formed by MOVPE growth on narrow InGaAs-OI fins. The formed (111)B surface provided higher mobility compared with reference InGaAs-OI tri-gate (1.9x) as well as bulk (100) InGaAs nMOSFETs (1.6x), which is possibly due to reduced Dit in conduction band and resultant suppressed carrier trapping at the MOS interface. Lower noise and hysteresis in triangular device supported this model. High Ion value of 930 A/m at Lch = 300 nm indicates the potential of the triangular InGaAs-OI nMOSFETs for ultra-low power and high performance CMOS applications. |
キーワード |
(和) |
InGaAs-OI / MOSFET / 高移動度 / 三角形状チャネル / マルチゲート / (111)B面 / / |
(英) |
InGaAs-OI / MOSFET / High mobility / Triangular channel / Multi-gate / (111)B surface / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-137, pp. 9-12, 2014年1月. |
資料番号 |
SDM2013-137 |
発行日 |
2014-01-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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