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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-29 10:25
[招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-137
抄録 (和) (111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に作製する事に成功した.三角形状チャネルは微細InGaAs-OI Fin構造にMOVPE成長を施す事で形成した.形成された(111)B面の移動度は,通常トライゲート素子比1.9倍,バルク(100)素子比1.6倍の値を示した.ノイズ特性やヒステリシス特性の結果から,この移動度増大は伝導帯中の界面準位低減とそれによるキャリアトラップの減少によりもたらされている事が示唆された.また,チャネル長300 nmの素子において,930 uA/um (@Vg = 2.0 V, Vd = 0.5 V)という高いオン電流が確認され,高性能・低消費電力CMOS応用へ向けた本素子の高い潜在能力が示された. 
(英) riangular In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETs with smooth (111)B side surfaces on Si have been successfully fabricated. The triangular shaped channels with bottom width down to 30 nm were formed by MOVPE growth on narrow InGaAs-OI fins. The formed (111)B surface provided higher mobility compared with reference InGaAs-OI tri-gate (1.9x) as well as bulk (100) InGaAs nMOSFETs (1.6x), which is possibly due to reduced Dit in conduction band and resultant suppressed carrier trapping at the MOS interface. Lower noise and hysteresis in triangular device supported this model. High Ion value of 930 A/m at Lch = 300 nm indicates the potential of the triangular InGaAs-OI nMOSFETs for ultra-low power and high performance CMOS applications.
キーワード (和) InGaAs-OI / MOSFET / 高移動度 / 三角形状チャネル / マルチゲート / (111)B面 / /  
(英) InGaAs-OI / MOSFET / High mobility / Triangular channel / Multi-gate / (111)B surface / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-137, pp. 9-12, 2014年1月.
資料番号 SDM2013-137 
発行日 2014-01-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2013-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-137

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-01-29 - 2014-01-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) InGaAs-OI / InGaAs-OI  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 高移動度 / High mobility  
キーワード(4)(和/英) 三角形状チャネル / Triangular channel  
キーワード(5)(和/英) マルチゲート / Multi-gate  
キーワード(6)(和/英) (111)B面 / (111)B surface  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 入沢 寿史 / Toshifumi Irisawa /
第1著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 穣 / Minoru Oda /
第2著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 圭司 / Keiji Ikeda /
第3著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 守山 佳彦 / Yoshihiko Moriyama /
第4著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 三枝 栄子 / Eiko Mieda /
第5著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) W Jevasuwan / Wipakorn. Jevasuwan /
第6著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 辰郎 / Tatsuro Maeda /
第7著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 麿 / Osamu Ichikawa /
第8著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Company, Limited (略称: Sumitomo Chemical)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 剛規 / Takenori Osada /
第9著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Company, Limited (略称: Sumitomo Chemical)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 秦 雅彦 / Masahiko Hata /
第10著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Company, Limited (略称: Sumitomo Chemical)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto /
第11著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka /
第12著者 所属(和/英) 独立行政法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-01-29 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-137 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.420 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数
発行日 2014-01-22 (SDM) 


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