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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-29 15:05
[招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2013-144
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-144, pp. 39-42, 2014年1月.
資料番号 SDM2013-144 
発行日 2014-01-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-01-29 - 2014-01-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High Performance Sub-20-nm-Channel-Length Extremely-Thin Body InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFETs with High Short Channel Effect Immunity and Vth Tunability 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 相賢 / S. H. Kim /
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 正史 / Masafumi Yokoyama /
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中根 了昌 / Ryosho Nakane /
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 磨 / Osamu Ichikawa /
第4著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Co. Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 長田 剛規 / Takenori Osada /
第5著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Co. Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 秦 雅彦 / Masahiko Hata /
第6著者 所属(和/英) 住友化学株式会社 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical Co. Ltd. (略称: Sumitomo Chemical)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka /
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi /
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-01-29 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-144 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.420 
ページ範囲 pp.39-42 
ページ数
発行日 2014-01-22 (SDM) 


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