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講演抄録/キーワード
講演名
2014-01-29 15:05
[招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
○
金 相賢
・
横山正史
・
中根了昌
(
東大
)・
市川 磨
・
長田剛規
・
秦 雅彦
(
住友化学
)・
竹中 充
・
高木信一
(
東大
)
SDM2013-144
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2013-144
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-144, pp. 39-42, 2014年1月.
資料番号
SDM2013-144
発行日
2014-01-22 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2013-144
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2013-144
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2014-01-29 - 2014-01-29
開催地(和)
機械振興会館
開催地(英)
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和)
先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2014-01-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
サブタイトル(和)
タイトル(英)
High Performance Sub-20-nm-Channel-Length Extremely-Thin Body InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFETs with High Short Channel Effect Immunity and Vth Tunability
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
金 相賢
/
S. H. Kim
/
第1著者 所属(和/英)
東京大学
(略称:
東大
)
The University of Tokyo
(略称:
Univ. of Tokyo
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
横山 正史
/
Masafumi Yokoyama
/
第2著者 所属(和/英)
東京大学
(略称:
東大
)
The University of Tokyo
(略称:
Univ. of Tokyo
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
中根 了昌
/
Ryosho Nakane
/
第3著者 所属(和/英)
東京大学
(略称:
東大
)
The University of Tokyo
(略称:
Univ. of Tokyo
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
市川 磨
/
Osamu Ichikawa
/
第4著者 所属(和/英)
住友化学株式会社
(略称:
住友化学
)
Sumitomo Chemical Co. Ltd.
(略称:
Sumitomo Chemical
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
長田 剛規
/
Takenori Osada
/
第5著者 所属(和/英)
住友化学株式会社
(略称:
住友化学
)
Sumitomo Chemical Co. Ltd.
(略称:
Sumitomo Chemical
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
秦 雅彦
/
Masahiko Hata
/
第6著者 所属(和/英)
住友化学株式会社
(略称:
住友化学
)
Sumitomo Chemical Co. Ltd.
(略称:
Sumitomo Chemical
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
竹中 充
/
Mitsuru Takenaka
/
第7著者 所属(和/英)
東京大学
(略称:
東大
)
The University of Tokyo
(略称:
Univ. of Tokyo
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
高木 信一
/
Shinichi Takagi
/
第8著者 所属(和/英)
東京大学
(略称:
東大
)
The University of Tokyo
(略称:
Univ. of Tokyo
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2014-01-29 15:05:00
発表時間
25分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2013-144
巻番号(vol)
vol.113
号番号(no)
no.420
ページ範囲
pp.39-42
ページ数
4
発行日
2014-01-22 (SDM)
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