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講演抄録/キーワード
講演名 2014-01-29 15:40
オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性
佐藤貴晃宇佐美公良芝浦工大VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85
抄録 (和) 近年の微細化によって、トランジスタの経年劣化現象がLSIの正常動作を妨げる要因として顕著になってきている。そのため、この経年劣化現象から引き起こされる回路の劣化度合いを測定し、LSIが正常動作できるように、補正をかける手法が必要になる。本研究ではトランジスタ経年劣化現象の中でも、特に代表的なNBTI(Negative Bias Temperature Instability)に対し劣化の測定手法を提案し有効性を示す。なお、このNBTI測定手法は機器に組み込まれた状態で、回路上のリーク量からNBTIによる劣化をモニタする方式である。 
(英) Miniaturization in recent years ,LSI's aging has become prominent as a factor that prevents the normal operation.By measure the aging and add a correction , LSI returns to normal operation.This paper is among the transistor aging phenomenon the proposed measurement method of NBTI(Negative Bias Temperature Instability) degradation. Further,this NBTI measurement technique is a method in a state on-chip the device, to monitor the degradation of NBTI leak rate of the circuit.
キーワード (和) 経年劣化現象 / NBTI / オンチップ / モニタ回路 / 適応制御 / / /  
(英) Aging / NBTI / on-chip / monitor circuit / adaptive control / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 416, VLD2013-131, pp. 173-178, 2014年1月.
資料番号 VLD2013-131 
発行日 2014-01-21 (VLD, CPSY, RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85

研究会情報
研究会 IPSJ-SLDM CPSY RECONF VLD  
開催期間 2014-01-28 - 2014-01-29 
開催地(和) 慶応義塾大学 日吉キャンパス 
開催地(英) Hiyoshi Campus, Keio University 
テーマ(和) FPGA応用および一般 
テーマ(英) FPGA Applications, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2014-01-SLDM-CPSY-RECONF-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Methodology for NBTI measurement using an on-chip leakage monitor circuit 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 経年劣化現象 / Aging  
キーワード(2)(和/英) NBTI / NBTI  
キーワード(3)(和/英) オンチップ / on-chip  
キーワード(4)(和/英) モニタ回路 / monitor circuit  
キーワード(5)(和/英) 適応制御 / adaptive control  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 貴晃 / Takaaki Sato / サトウ タカアキ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-01-29 15:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2013-131, CPSY2013-102, RECONF2013-85 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.416(VLD), no.417(CPSY), no.418(RECONF) 
ページ範囲 pp.173-178 
ページ数
発行日 2014-01-21 (VLD, CPSY, RECONF) 


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