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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-01-29 10:00 ［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 ○李 忠賢・西村知紀・田畑俊行・魯 辞莽・張 文峰・長汐晃輔・鳥海 明（東大）  SDM2013-136 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する． Ge nMOSFETsにおいて高反転層キャリア密度（高Ns）領域における電子移動度の劣化の起源については未だ不明な点が多い．今回我々は基板表面を原子レベルで平坦化し，layer-by-layer酸化によるゲートスタック構造の形成を行うことにより，高Ns領域における電子移動度の大幅に改善されることを明らかにした．更に基板中の酸素に相関した中性不純物散乱の存在も示唆されることが分かった． |
| （英） | We clarified wafer-related origins for electron mobility degradation in Ge n-MOSFETs. High-Ns electron mobility was dramatically improved thanks to (i) atomically flat Ge surface formation, followed by (ii) layer-by-layer oxidation. (iii) Oxygen-related neutral impurities in Ge substrates could be another origin of the mobility reduction on Ge wafers. By successfully eliminating these scattering sources in Ge n-MOSFETs, we demonstrated intrinsically high electron mobility in a wide range of Ns. | |
| キーワード | （和） | Germanium / MOSFETs / Mobility / / / / / |
| （英） | Germanium / MOSFETs / Mobility / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 420, SDM2013-136, pp. 5-8, 2014年1月. | |
| 資料番号 | SDM2013-136 | |
| 発行日 | 2014-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-136 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-01-29 - 2014-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端CMOSデバイス・プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Germanium / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFETs / MOSFETs |
| キーワード(3)（和/英） | Mobility / Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 忠賢 / ChoongHyun Lee / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田畑 俊行 / T Tabata / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 魯 辞莽 / Cimang Lu / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 文峰 / W F Zhang / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長汐 晃輔 / Kosuke Nagashio / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥海 明 / Akira Toriumi / |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-01-29 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-136 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.420 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-01-22 (SDM) |
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