講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-02-27 15:45
直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 ○鈴木恭一・小野満恒二・原田裕一・村木康二(NTT) ED2013-136 SDM2013-151 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2013-136 SDM2013-151 |
抄録 |
(和) |
直接ギャップ半導体であるInAsとGaSbを用いて、そのヘテロ接合により2次元トポロジカル絶縁体を実現した。非局所抵抗測定において隣り合った電極ペア間の抵抗比が電流端子の配置に依存しないことから、電気伝導がトポロジカル絶縁体の特徴であるエッジチャネルに支配されていることを示した。本手法を用いることで、エッジチャネルの量子化が不完全な場合でも、エッジチャネルの存在とトポロジカル絶縁の実現を証明することができる。 |
(英) |
We have realized a topological insulating phase in a heterostructure composed of direct transition band gap semiconductors. Edge channel transport without bulk contribution has been confirmed on the basis of the fact that the non-local resistance ratios between adjacent voltage contact pairs does not depend on the current path. This method allows us to demonstrate the realization of a topological insulating phase and the existence of edge channels even when the conductance quantization of the edge channels is incomplete. |
キーワード |
(和) |
トポロジカル絶縁体 / エッジチャネル / 非局所抵抗 / 原子層堆積法 / 量子スピンホール効果 / / / |
(英) |
Topological insulator / Edge channel / Non-local resistance / Atomic layer deposition / Quantum spin Hall effect / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 449, ED2013-136, pp. 25-30, 2014年2月. |
資料番号 |
ED2013-136 |
発行日 |
2014-02-20 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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