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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-27 15:45 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 ○鈴木恭一・小野満恒二・原田裕一・村木康二（NTT）  ED2013-136 SDM2013-151 |
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| 抄録 | （和） | 直接ギャップ半導体であるInAsとGaSbを用いて、そのヘテロ接合により2次元トポロジカル絶縁体を実現した。非局所抵抗測定において隣り合った電極ペア間の抵抗比が電流端子の配置に依存しないことから、電気伝導がトポロジカル絶縁体の特徴であるエッジチャネルに支配されていることを示した。本手法を用いることで、エッジチャネルの量子化が不完全な場合でも、エッジチャネルの存在とトポロジカル絶縁の実現を証明することができる。 |
| （英） | We have realized a topological insulating phase in a heterostructure composed of direct transition band gap semiconductors. Edge channel transport without bulk contribution has been confirmed on the basis of the fact that the non-local resistance ratios between adjacent voltage contact pairs does not depend on the current path. This method allows us to demonstrate the realization of a topological insulating phase and the existence of edge channels even when the conductance quantization of the edge channels is incomplete. | |
| キーワード | （和） | トポロジカル絶縁体 / エッジチャネル / 非局所抵抗 / 原子層堆積法 / 量子スピンホール効果 / / / |
| （英） | Topological insulator / Edge channel / Non-local resistance / Atomic layer deposition / Quantum spin Hall effect / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 449, ED2013-136, pp. 25-30, 2014年2月. | |
| 資料番号 | ED2013-136 | |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-136 SDM2013-151 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2014-02-27 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Centennial Hall |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realizing topological insulating phase in the heterostructure composed of direct transition band gap semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トポロジカル絶縁体 / Topological insulator |
| キーワード(2)（和/英） | エッジチャネル / Edge channel |
| キーワード(3)（和/英） | 非局所抵抗 / Non-local resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 原子層堆積法 / Atomic layer deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 量子スピンホール効果 / Quantum spin Hall effect |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 恭一 / Kyoichi Suzuki / スズキ キョウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野満 恒二 / Koji Onomitsu / オノミツ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 裕一 / Yuichi Harada / ハラダ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村木 康二 / Koji Muraki / ムラキ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-27 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2013-136, SDM2013-151 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.449(ED), no.450(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) |
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