| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2014-02-27 15:10
SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について ○井 幸孝・小川晃史・田中哲郎(鹿児島大) EE2013-56 CPM2013-157 |
| 抄録 |
(和) |
本稿の目的は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)のドレイン-ゲート間相互作用による誤動作の発生条件を実験的に調べ、その結果からSiC-BGSITのSPICE素子モデルを構築することである。ドレイン-ゲート間相互作用の実験では、実験が容易で素子破壊の起こりにくい並列構成を用いている。
回路シミュレーションによりドレイン-ゲート間相互作用の定量的な解析を行うため、SPICE素子モデルの構築を試みた。SPICE3にはSITの素子モデルが存在しないため、特性の近いJFETモデルで代用した結果、実験と一致しない場合も見られた。 |
| (英) |
The objective of this report is to experimentally investigate the occurrence conditions of false operation caused by the drain-to-gate interaction of a SiC buried-gate static-induction-transistor (SiC-BGSIT) and to make a SPICE element model of the device. In the experiments on the drain-to-gate interaction, the parallel-structured circuit by which the experiments are easily performed and the devices are protected is employed. To conduct the quantitative analysis of the drain-to-gate interaction through circuit simulations, a SPICE element model of the SiC-BGSIT was build on trial. The SPICE3 JFET model is used for the SiC-BGSIT; in some cases simulation results do not correspond with experimental results. |
| キーワード |
(和) |
SiC / BGSIT / ドレイン‐ゲート間相互作用 / SPICE / / / / |
| (英) |
SiC / BGSIT / drain - gate interactions / SPICE / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 444, EE2013-56, pp. 43-48, 2014年2月. |
| 資料番号 |
EE2013-56 |
| 発行日 |
2014-02-20 (EE, CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
EE2013-56 CPM2013-157 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
EE CPM |
| 開催期間 |
2014-02-27 - 2014-02-27 |
| 開催地(和) |
機械振興会館 |
| 開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ(和) |
電池技術関連,一般 |
| テーマ(英) |
|
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
EE |
| 会議コード |
2014-02-EE-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
On switching characteristics and equivalent circuit of SiC-BGSIT device |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
SiC / SiC |
| キーワード(2)(和/英) |
BGSIT / BGSIT |
| キーワード(3)(和/英) |
ドレイン‐ゲート間相互作用 / drain - gate interactions |
| キーワード(4)(和/英) |
SPICE / SPICE |
| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
井 幸孝 / Yukitaka I / イ ユキタカ |
| 第1著者 所属(和/英) |
鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小川 晃史 / Akihumi Ogawa / オガワ アキフミ |
| 第2著者 所属(和/英) |
鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 哲郎 / Tetsuro Tanaka / タナカ テツロウ |
| 第3著者 所属(和/英) |
鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2014-02-27 15:10:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
EE |
| 資料番号 |
EE2013-56, CPM2013-157 |
| 巻番号(vol) |
vol.113 |
| 号番号(no) |
no.444(EE), no.445(CPM) |
| ページ範囲 |
pp.43-48 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2014-02-20 (EE, CPM) |