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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 11:40 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大）  ED2013-148 SDM2013-163 |
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| 抄録 | （和） | 固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作原理として有力視されているが、その詳細は未解明である。我々はReRAMの動作機構を評価するため、Cu/MoOx構造のReRAMのスイッチ動作の詳細を、その場TEM手法により観察した。TEM内で実デバイスのメモリ特性を再現でき、Set時にはCuフィラメントの形成、Reset時には消失が起こった。繰り返しスイッチ評価をしたところ、フィラメントは一か所で形成-消滅を繰り返すわけでなく、その位置を変えることが観察された。 |
| （英） | While a conductive filament formed by movement of the metal ions in the solid electrolyte is considered as the mechanism of resistive random access memory (ReRAM), the details of conductive filaments are still unknown. In order to investigate the switching mechanism of the ReRAM, we examined the details of switching operation of ReRAM made of Cu/MoOx using in-situ TEM. The I-V characteristics obtained from actual devices were reproduced also at the measurements in TEM. During the Set and the Reset processes, formation and rupture of Cu filaments were clearly observed. When the repeated switching behavior was investigated in TEM, it was found that the filament position can change at individual switching operation. Keyword Resistive Random Access Memory (ReRAM), Solid Electrolyte, in-situ TEM |
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| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ / 固体電解質 / in-situ TEM / / / / / |
| （英） | Resistive Random Access Memory (ReRAM) / Solid Electrolyte / in-situ TEM / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 450, SDM2013-163, pp. 89-94, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-163 | |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2013-148 SDM2013-163 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2014-02-27 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. Centennial Hall |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct observation of conductive filaments during MoOx/Cu ReRAM switching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / Resistive Random Access Memory (ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | 固体電解質 / Solid Electrolyte |
| キーワード(3)（和/英） | in-situ TEM / in-situ TEM |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 裕輝 / Yuuki Ohno / オオノ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣井 孝弘 / Takahiro Hiroi / ヒロイ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 昌輝 / Masaki Kudo / クドウ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜田 弘一 / Kouichi Hamada / ハマダ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2013-148, SDM2013-163 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.449(ED), no.450(SDM) |
| ページ範囲 | pp.89-94 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-20 (ED, SDM) |
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