| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-02-28 14:40 ［招待講演］導電性下地上でのカーボンナノチューブの低温・稠密成長 ○野田 優（早大）・羅 ヌリ（早大/東大）・白井 聖・野村桂甫（東大）・長谷川 馨（早大）  SDM2013-171 |
|
| 抄録 | （和） | 半導体集積回路の集積度の向上に伴い、より高い電流密度に耐えられる配線材料が求められており、カーボンナノチューブ(CNT)もその候補となっている。個々のCNTはCuと同程度の導電性と3桁上の電流密耐性を持つものの、CNT垂直配向膜は一般に800 C前後の高温で絶縁体の上に合成され、しかも密度が0.03-0.07 g cm-3と低いため、期待される特性が得られていない。我々は、化学気相成長(CVD)法でのCNT触媒成長を丁寧に調べ、C2H2が高活性な前駆体で低温でも高い反応活性を持ち、CVDの低温化にはC2H2を低分圧で供給することが鍵と明らかにした。また、CNTを密に成長するには、触媒粒子を密に担持する必要がある。スパッタでNi触媒を担持する際、Ni粒子の核生成・成長を制御し、400 CでのH2アニール処理後も2.8×1012 cm-2と高い粒子密度を実現、400 Cの低温にて1 g cm-3程度と従来の数十倍の密度のCNTの導電性TiN下地上の成長を実現した。 |
| （英） | Increasing density in semiconductor integrated circuits demands new wiring materials having higher current carrying capacity and carbon nanotubes (CNTs) are one of the candidates. Individual CNTs have a conductivity as high as Cu and a current carrying capacity three orders of magnitude higher than Cu. Vertically aligned CNT arrays, however, are generally synthesized at temperature as high as 800 C on insulator with a density as low as 0.03-0.07 g cm-3, resulting in much lower performances than expected. We have carefully and systematically studied the catalytic growth of CNTs in chemical vapor deposition (CVD) process and clarified that C2H2 is a key growth precursor reactive even at low temperatures and that feeding C2H2 at a low partial pressure is the key in achieving CNT growth at low temperatures. In order to grow CNTs densely, catalyst particles have to be prepared densely. We realized Ni islands with a density as high as 2.8×1012 cm-2 even after H2 annealing at 400 C, by controlling their nucleation and growth during sputtering. By using this catalyst, CNTs were grown on conductive TiN underlayer at a low temperature of 400 C with CNT densities of 1 g cm-3, which is several tens times higher than usual CNT arrays. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 化学気相成長法 / 低温成長 / 稠密・垂直配向膜 / 導電性下地 / 配線材料 / / |
| （英） | carbon nanotubes / chemical vapor deposition / low temperature growth / dense vertically aligned arrays / conductive underlayers / wiring material / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 451, SDM2013-171, pp. 35-38, 2014年2月. | |
| 資料番号 | SDM2013-171 | |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-171 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-02-28 - 2014-02-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 導電性下地上でのカーボンナノチューブの低温・稠密成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of dense carbon nanotube arrays on conductive underlayers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotubes |
| キーワード(2)（和/英） | 化学気相成長法 / chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 低温成長 / low temperature growth |
| キーワード(4)（和/英） | 稠密・垂直配向膜 / dense vertically aligned arrays |
| キーワード(5)（和/英） | 導電性下地 / conductive underlayers |
| キーワード(6)（和/英） | 配線材料 / wiring material |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 優 / Suguru Noda / |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羅 ヌリ / Nuri Na / |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学/東京大学 (略称： 早大/東大) Waseda University/The University of Tokyo (略称： Waseda Univ./Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白井 聖 / Takashi Shirai / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 桂甫 / Keisuke Nomura / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 馨 / Kei Hasegawa / |
| 第5著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-02-28 14:40:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-171 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.451 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-02-21 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る] (日本語ページの行間係数: 1)