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講演抄録/キーワード
講演名 2014-03-03 13:00
非均質なリングオシレータを用いたランダムテレグラフノイズの特性解析
西村彰平松本高士京大)・小林和淑京都工繊大)・小野寺秀俊京大VLD2013-134
抄録 (和) 近年のLSIの微細化に伴い、ランダムテレグラフノイズが組み合わせ回路の遅延に与える影響が増大している。非均質なリングオシレータを用いて、ランダムテレグラフノイズが回路に及ぼす影響を正確に見積もる手法を提案する。スイッチング動作におけるPMOSFET、NMOSFETのランダムテレグラフノイズの振幅量およびトラップ数はゲート幅に強く依存することを確認した。ゲート幅の小さいトランジスタを用いる際には、ランダムテレグラフノイズの影響を十分考慮する必要がある。 
(英) RTN has severe impact on combinational logic circuits. Extracting accurate (RTN-induced) variation information is a huge challenge. We estimated RTN amplitude and the number of detectable traps on PMOSFETs and NMOSFETs under operating condition. In both of PMOSFETs and NMOSMOSFETs, RTN amplitude and the number of traps strongly depend on gate area. We should consider Random Telegraph Noise when we design.
キーワード (和) CMOS / 信頼性 / ランダムテレグラフノイズ / / / / /  
(英) CMOS / reliability / Random Telegraph Noise / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-134, pp. 1-6, 2014年3月.
資料番号 VLD2013-134 
発行日 2014-02-24 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2013-134

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2014-03-03 - 2014-03-05 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英) Design Technology for System-on-Silicon 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2014-03-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非均質なリングオシレータを用いたランダムテレグラフノイズの特性解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Random Telegraph Noise using Inhomogeneous Ring Oscillator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) 信頼性 / reliability  
キーワード(3)(和/英) ランダムテレグラフノイズ / Random Telegraph Noise  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 彰平 / Shohei Nishimura / ニシムラ ショウヘイ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Instutute of Technology (略称: Kyoto Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-03-03 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2013-134 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.454 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2014-02-24 (VLD) 


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