講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-03-05 13:55
WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール ○紫村輝之・山本和也・関 博昭・檜枝護重・平野嘉仁(三菱電機) MW2013-218 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-218 |
抄録 |
(和) |
WCDMA端末用電力増幅器モジュール(PAM)の低コスト化を図るため、Si/GaAs混載構造を用いてシングルバンド(SB) PAM (バンド8対応)とマルチバンド(MB) PAM (バンド1, 2, 5, 8対応)を試作した。これらのPAMは、低中出力での効率維持のため、高出力モード(HPM)と低出力モード(LPM)の2つの出力モードからなる。CMOSチップには、バイアス/制御回路、HPMの最終段を除くRF増幅段及びRF経路切替スイッチを、HBTチップには,HPMの最終増幅段とそのバイアス回路のみを集積化した。また、MB PAMのバンド切替スイッチ用にHEMTを採用した。試作したSi/GaAs混載PAMの特性を電源電圧3.4VのもとWCDMA変調信号(3GPP R99)を用いて評価した。SB PAM(880-915MHz)において、HPM(出力28.5dBm)で効率44%、LPM(出力17dBm)で効率20%の優れた特性を良好なACLR(<-39dBc)と共に達成した。同様にMB PAMの各バンド(824-915MHz , 1850-1980MHz)においても、良好な-37dBc以下のACLRを保ちながらHPMの効率35~40%、LPMの効率14~15%を実現した。 |
(英) |
Single-band (SB) and multiband (MB) power amplifier modules (PAM) are demonstrated for WCDMA handsets applications. The PAMs feature bulk Si-CMOS and GaAs-HBT hybrid architecture for pursuing low cost while maintaining high efficiency and high- and low-power mode (HPM and LPM) function. In the PAMs, the CMOS die accommodates a driver stage for the HPM, two power stages for the LPM, and several RF switches in addition to their-related bias and switch control functions. A power stage and its related bias block for the HPM are integrated on the GaAs-based HBT die, and a band select switch used in the MB PAM is implemented using a GaAs-based HEMT process. Measurements under a condition of WCDMA modulation (3GPP, R99) and 3.4-V power supplies show that the SB PAM operating in 880-915MHz can deliver a 28.5dBm output power (Pout), a 44% power-added efficiency (PAE), and a -39dBc 5-MHz-offset adjacent channel leakage power ratio (ACLR) in the HPM. In the LPM, a PAE as high as 20% is obtained at 17dBm of Pout. The MB PAM operating in the bands of 824-915MHz and 1850-1980MHz also achieves high PAE of 35~ 40% in the HPM and 14~15% PAE in the LPM while keeping ACLR of less than -37dBc. |
キーワード |
(和) |
電力増幅器 / WCDMA端末 / HBT / CMOS / HEMT / 広帯域整合 / / |
(英) |
power amplifiers / WCDMA terminals / HBT / CMOS / HEMT / broadband matching / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 460, MW2013-218, pp. 123-128, 2014年3月. |
資料番号 |
MW2013-218 |
発行日 |
2014-02-25 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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