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| 講演名 | 2014-03-05 13:55 WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール ○紫村輝之・山本和也・関 博昭・檜枝護重・平野嘉仁（三菱電機）  MW2013-218 |
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| 抄録 | （和） | WCDMA端末用電力増幅器モジュール(PAM)の低コスト化を図るため、Si/GaAs混載構造を用いてシングルバンド(SB) PAM (バンド8対応)とマルチバンド(MB) PAM (バンド1, 2, 5, 8対応)を試作した。これらのPAMは、低中出力での効率維持のため、高出力モード(HPM)と低出力モード(LPM)の2つの出力モードからなる。CMOSチップには、バイアス/制御回路、HPMの最終段を除くRF増幅段及びRF経路切替スイッチを、HBTチップには，HPMの最終増幅段とそのバイアス回路のみを集積化した。また、MB PAMのバンド切替スイッチ用にHEMTを採用した。試作したSi/GaAs混載PAMの特性を電源電圧3.4VのもとWCDMA変調信号(3GPP R99)を用いて評価した。SB PAM(880-915MHz)において、HPM(出力28.5dBm)で効率44%、LPM(出力17dBm)で効率20%の優れた特性を良好なACLR(<-39dBc)と共に達成した。同様にMB PAMの各バンド(824-915MHz , 1850-1980MHz)においても、良好な-37dBc以下のACLRを保ちながらHPMの効率35~40%、LPMの効率14~15%を実現した。 |
| （英） | Single-band (SB) and multiband (MB) power amplifier modules (PAM) are demonstrated for WCDMA handsets applications. The PAMs feature bulk Si-CMOS and GaAs-HBT hybrid architecture for pursuing low cost while maintaining high efficiency and high- and low-power mode (HPM and LPM) function. In the PAMs, the CMOS die accommodates a driver stage for the HPM, two power stages for the LPM, and several RF switches in addition to their-related bias and switch control functions. A power stage and its related bias block for the HPM are integrated on the GaAs-based HBT die, and a band select switch used in the MB PAM is implemented using a GaAs-based HEMT process. Measurements under a condition of WCDMA modulation (3GPP, R99) and 3.4-V power supplies show that the SB PAM operating in 880-915MHz can deliver a 28.5dBm output power (Pout), a 44% power-added efficiency (PAE), and a -39dBc 5-MHz-offset adjacent channel leakage power ratio (ACLR) in the HPM. In the LPM, a PAE as high as 20% is obtained at 17dBm of Pout. The MB PAM operating in the bands of 824-915MHz and 1850-1980MHz also achieves high PAE of 35~ 40% in the HPM and 14~15% PAE in the LPM while keeping ACLR of less than -37dBc. | |
| キーワード | （和） | 電力増幅器 / WCDMA端末 / HBT / CMOS / HEMT / 広帯域整合 / / |
| （英） | power amplifiers / WCDMA terminals / HBT / CMOS / HEMT / broadband matching / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 460, MW2013-218, pp. 123-128, 2014年3月. | |
| 資料番号 | MW2013-218 | |
| 発行日 | 2014-02-25 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2013-218 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2014-03-04 - 2014-03-05 |
| 開催地（和） | 愛媛大学 |
| 開催地（英） | Ehime University |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2014-03-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | WCDMA端末用Si/GaAs混載電力増幅器モジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si/GaAs Hybrid Power Amplifier Modules for WCDMA Handset Terminals |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | WCDMA端末 / WCDMA terminals |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域整合 / broadband matching |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 紫村 輝之 / Teruyuki Shimura / シムラ テルユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 和也 / Kazuya Yamamoto / ヤマモト カズヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関 博昭 / Hiroaki Seki / セキ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 檜枝 護重 / Morishige Hieda / ヒエダ モリシゲ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano / ヒラノ ヨシヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-03-05 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2013-218 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.460 |
| ページ範囲 | pp.123-128 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-02-25 (MW) |
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