講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-03-05 13:30
注入波位相を適応制御した自己注入同期VCO ○川崎健吾・堤 恒次・津留正臣・谷口英司(三菱電機) MW2013-217 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2013-217 |
抄録 |
(和) |
本報告では,注入波位相を適応制御する自己注入同期VCOについて述べる.自己注入同期法は,発振器の低雑音化に有効な手段であるが,これをVCOに適用した場合,不連続な周波数特性や大きな位相雑音変動という望ましくない特性が表れることが問題であった.ここでは,自己注入同期VCOの注入波位相を適応制御することにより,これらの問題を解決することを提案する.提案回路は,VCO,注入波を生成する遅延回路と移相器,発振波と注入波の位相差を検出する位相差検出回路により構成される.原理検証のため0.18μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて,Ka帯VCOと位相差検出回路を集積化したICを試作し実験を行った.その結果,適応制御を行わない従来の自己注入同期VCOと比べて,連続的な周波数特性が得られ,位相雑音の変動幅を7dB改善することができた. |
(英) |
A self-injection locking is an effective method to reduce the phase noise of the oscillator; however there are some problems such as a discontinuous frequency and a large phase noise variation when it is applied to a voltage controlled oscillator (VCO). To solve these problems, an adaptive control method of injection phase is proposed. The proposed circuit is composed of a VCO, a phase detector (PD), a delay line and a phase shifter (PS). In order to obtain an optimum injection phase, the phase shifter is controlled based on the PD output. The IC which is including the Ka-band VCO and the PD is designed and fabricated using a 0.18μm SiGe BiCMOS technology. The proposed self-injection locked oscillator using the fabricated IC shows the continuous frequency characteristic. Moreover, the phase noise variation of can be reduced by 7 dB compared to the conventional self-injection locked VCO. |
キーワード |
(和) |
注入同期 / 位相雑音 / VCO / 遅延線路 / 適応制御 / SiGe BiCMOS / / |
(英) |
Injection-locked / Phase noise / VCO / Adaptive control / SiGeBiCMOS / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 460, MW2013-217, pp. 117-122, 2014年3月. |
資料番号 |
MW2013-217 |
発行日 |
2014-02-25 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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