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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-05-28 11:10 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 ○小森大資・笹島浩希・鈴木智行・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）  ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む窒化物半導体混晶により上記の解決を目指している。しかし、GaNSbの結晶成長に関する報告例は少なく、GaSbモル分率も数%未満であり、成長条件に関する系統的な検討はほとんどされていない。本研究では、GaNSbのGaSbモル分率と表面形態に対する様々な成長条件依存性を検討した。その結果、GaSbモル分率は成長温度とSb/?供給比に、表面形態は成長速度と成長圧力に強く依存することが分かった。また、得られた最大GaSbモル分率は0.4%であった。 |
| （英） | It is difficult to form high quality nitride-based heterostructures with widely different compositions since large differences exist in growth temperature and lattice constant between them. We have attempted to resolve the above-mentioned issue by fabricating novel nitride-based semiconductors with Sb. At this moment, there are few reports about the epitaxial growth of GaNSb, in which no systematic experiments were carried out and GaSb molar fraction was limited to be less than several percent. In this study we systematically investigated various growth condition dependence on GaSb molar fraction and surface morphology. As a result, we found that the GaSb molar fraction is dependent on growth temperature and Sb/V supply ratio, while the surface morphology is dependent on growth rate and growth pressure. The maximum GaSb molar fraction that we obtained was 0.4%. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / ヘテロ接合 / 格子不整合 / 成長温度 / Sb / GaNSb / / |
| （英） | Nitride-based semiconductors / hetero strucyures / lattice mismatch / growth temperature / Sb / GaNSb / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-19, pp. 7-10, 2014年5月. | |
| 資料番号 | ED2014-19 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討 |
| サブタイトル（和） | * |
| タイトル（英） | Investigations on Sb incoporations and surface morphologies of GaNSb |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride-based semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合 / hetero strucyures |
| キーワード(3)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(4)（和/英） | 成長温度 / growth temperature |
| キーワード(5)（和/英） | Sb / Sb |
| キーワード(6)（和/英） | GaNSb / GaNSb |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小森 大資 / Daisuke Komori / コモリ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹島 浩希 / Hiroki Sasajima / ササジマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 智行 / Tomoyuki Suzuki / スズキ トモユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトナリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) meijo University (略称： meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) meijo University/nagoya University (略称： meijo Univ./nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-28 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-19, CPM2014-2, SDM2014-17 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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