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講演抄録/キーワード
講演名 2014-05-28 16:10
導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作
酒井宏基相原卓磨武田愛弓福原誠史太田 雅木村 優石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
抄録 (和) 表面プラズモンポラリトン(SPP)は,回折限界の制約を超えた微小領域への光の局在を可能とするため,光電子集積回路(OEIC)の高密度集積化の手段として注目されている.我々は,これまでにショットキー型のSPP検出器と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のモノリシック集積回路を作製し,その動作を確認してきた.
本研究では,新たにSPP導波路を加えた集積回路を作製した.本回路の表面プラズモン信号による直流及び交流動作を検討したので報告する. 
(英) Surface plasmon polaritons (SPPs) have attracted considerable attention as a means of increasing integration density of optoelectronic integrated circuits (OEICs) because they enable the light to localize in nanoscale area beyond the diffraction limit. Recently, we have demonstrated a monolithic integration of a Schottky-type SPP detector and two metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In this study, we integrate a SPP waveguide with the integrated circuit and demonstrate direct current and alternative current operations of the circuit.
キーワード (和) 表面プラズモンポラリトン / 光電子集積回路 / プラズモニックデバイス / MOSFET / / / /  
(英) Surface Plasmon Polaritons / Optoelectronic Integrated Circuit / Plasmonic Device / MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-28, pp. 51-54, 2014年5月.
資料番号 ED2014-28 
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2014-05-28 - 2014-05-29 
開催地(和) 名古屋大学VBL3階 
開催地(英)  
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2014-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Static and dynamic operations of MOSFET by propagated surface plasmon signal 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 表面プラズモンポラリトン / Surface Plasmon Polaritons  
キーワード(2)(和/英) 光電子集積回路 / Optoelectronic Integrated Circuit  
キーワード(3)(和/英) プラズモニックデバイス / Plasmonic Device  
キーワード(4)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 宏基 / Hiroki Sakai / サカイ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 相原 卓磨 / Takuma Aihara / アイハラ タクマ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 武田 愛弓 / Ayumi Takeda / タケダ アユミ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福原 誠史 / Masashi Fukuhara / フクハラ マサシ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 雅 / Masashi Ota / オオタ マサシ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 優 / Yu Kimura / キムラ ユウ
第6著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 佑弥 / Yuya Ishii / イシイ ユウヤ
第7著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 光男 / Mitsuo Fukuda / フクダ ミツオ
第8著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-05-28 16:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2014-28, CPM2014-11, SDM2014-26 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数
発行日 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) 


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