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| 講演名 | 2014-05-29 09:40 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響 ○勝野翔太・林 健人・安田俊輝・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大）  ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告では、この分極電荷によるキャリア輸送への影響を検証し、その影響を抑制するために、バリア層/電子ブロック層界面に誘起する正の分極電荷の補償を試みた。シミュレーションにより、分極電荷によるキャリア輸送への影響を検証した結果、p層内に存在する正の分極電荷は、イオン化アクセプタだけが補償できることが解った。この結果を受けて、バリア層/電子ブロック層界面の分極電荷の補償として、界面へのMgアクセプタの高濃度ドーピングを提案する。高濃度にMgアクセプタをドーピングすることにより、駆動電圧の低減と注入効率の改善がシミュレーションにより示唆された。実際に界面へMg高濃度ドーピングを施したLED素子を試作した結果、駆動電圧の低減が確認された。 |
| （英） | It has been reported that one of the reasons of carrier overflow is polarization charges induced at hetero interfaces. In this study, we investigate influences of the polarization charges on the carrier transport and a method to compensate the positive polarization charges induced at the GaN barrier/AlGaN electron blocking layer interface in order to suppress the influences. The simulation results revealed that the positive polarization charges in the p-layers were compensated only by the ionized acceptors. We then propose heavy doping with Mg acceptor to the interface induced the positive polarization charges in order for compensating the positive charges. The simulation results indicate that the method is effective to reduce operating voltages and improve injection efficiency. The fabricated blue LED with the heavy Mg doping at the barrier/electron blocking layer interface showed a reduction of the operating voltage. | |
| キーワード | （和） | 高濃度ドーピング / キャリア輸送 / 分極電荷 / 補償 / イオン化アクセプタ / / / |
| （英） | heavily doped / carrier transport / polarization charge / compensate / ionized acceptor / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 56, ED2014-33, pp. 75-80, 2014年5月. | |
| 資料番号 | ED2014-33 | |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2014-05-28 - 2014-05-29 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBL3階 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The effects of polarization charges to carrier transport in nitride-based LEDs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高濃度ドーピング / heavily doped |
| キーワード(2)（和/英） | キャリア輸送 / carrier transport |
| キーワード(3)（和/英） | 分極電荷 / polarization charge |
| キーワード(4)（和/英） | 補償 / compensate |
| キーワード(5)（和/英） | イオン化アクセプタ / ionized acceptor |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝野 翔太 / Syouta Katsuno / カツノ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 健人 / Kento Hayashi / ハヤシ ケント |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 俊輝 / Toshiki Yasuda / ヤスダ トシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-05-29 09:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-33, CPM2014-16, SDM2014-31 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.56(ED), no.57(CPM), no.58(SDM) |
| ページ範囲 | pp.75-80 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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