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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 10:30 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大）  SDM2014-46 |
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| 抄録 | （和） | GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密度分布には不明な点が多い。そこで本研究では、第一原理計算を用いて、界面近傍での空孔密度について検討した。その結果、界面から10Å程度の領域ではMIGSとの混成が原因で空孔の形成エネルギーが小さくなり、空孔密度はバルク中より約6桁まで大きくなることがわかった。また、他の点欠陥についても同様に検討し、界面に近いほど形成エネルギーが小さくなるという結果が得られた。 |
| （英） | It is well known that Ge has high density of vacancy defects compared to Si. Vacancy defects often change electronic properties of metal/Ge interfaces when they are located near the interface. However, it is not clear how many vacancies exist and how they are distributed near the interface. In this work, we study the stability of vacancy defects near metal/Ge interfaces by the first-principles theoretical calculations. It is shown that the formation energy of vacancy is remarkably reduced around the interface due to the hybridization of electronic states of vacancy with metal-induced gap states (MIGS). As a result, the vacancy density increases by about six figures near the interface. We show that these features also apply to the cases of other point defects such as substitutional and interstitial defects. | |
| キーワード | （和） | 界面 / ゲルマニウム / 空孔欠陥 / MIGS / 欠陥密度分布 / 第一原理計算 / / |
| （英） | Interface / Germanium / Vacancy defect / MIGS / Defect distribution / First-principles calculation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-46, pp. 17-20, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-46 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stability of vacancy defect around metal/Ge interfaces; first-principles study |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 界面 / Interface |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | 空孔欠陥 / Vacancy defect |
| キーワード(4)（和/英） | MIGS / MIGS |
| キーワード(5)（和/英） | 欠陥密度分布 / Defect distribution |
| キーワード(6)（和/英） | 第一原理計算 / First-principles calculation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 奨悟 / Shogo Sasaki / ササキ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 10:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-46 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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