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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 11:25 Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）  SDM2014-48 |
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| 抄録 | （和） | Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注入をした場合において、イオン注入時の基板温度のイオン注入時のアモルファス化度、600°Cのポストアニール後の再結晶化度、Asの活性度に対する影響及びそれらの相関について調べた．As+イオン注入時の基板温度が低いほど基板の自己加熱が抑えられるため、よりアモルファス化が促進されることが観測された．これは低温イオン注入により、アモルファス化が促進されることで、ポストアニール時の再結晶化の際にAsクラスタリングが効果的に抑制され、As活性化率向上がもたらされた結果と考えられる． |
| （英） | To improve the activation of As implanted into Ge substrate, we have studied the impact of substrate temperature on As+ implantation to Ge (100) in the range from -100°C to 400 °C and characterized systematically the degree of amorphization with the ion implantation, re-crystallization and As activation with post-annealing at 600 °C. We have observed that the amorphization with As+ implantation is promoted efficiently at lower temperature due to the quenching of self-heating during the ion implantation. Such an enhanced amorphization of Ge by low temperature implantation is effective to suppress As cluster formation during the re-crystallization with post-annealing and results in the improvement of the As activation in Ge(100). | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / イオン注入 / 基板温度 / アモルファス化 / クラスタリング / / / |
| （英） | Germanium / Ion Implantation / Substrate Temperture / Amorphization / Cluster Formation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-48, pp. 27-30, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-48 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Efficient Activation of As+ Ion implantation into Ge substrate for Formation of Low-Resistive Shallow Junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 基板温度 / Substrate Temperture |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス化 / Amorphization |
| キーワード(5)（和/英） | クラスタリング / Cluster Formation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浜田 慎也 / Shinya Hamada / ハマダ シンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 貴寛 / Takahiro Ono / オノ タカヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 邦明 / Kuniaki Hashimoto / ハシモト クニアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 花房 宏明 / Hiroaki Hanafusa / ハナフサ ヒロアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 11:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-48 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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