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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 11:45 ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構）  SDM2014-49 |
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| 抄録 | （和） | Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/Al2O3-TL/(Ta/Nb)Ox-CTL/Al2O3-BL/Ptキャパシタを最高温度400 ℃のALD+熱処理法で作製して、プログラム、リテンション特性及び注入した電荷のトラップサイトについて検討した。プログラム特性は、Al2O3-TL及びAl2O3-BLの膜厚に大きく影響され、プログラム時間が100 msecでVfbシフトが飽和した。負電界によるリテンション特性で、Al2O3-TLが4 nmと薄膜にすると低電界(-0.5MV/cm)でもトラップした電荷を容易に放出することより、Al2O3-TL層の欠陥がリテンション特性に関与していると考えられる。最後に、注入された電荷のトラップサイトを理解するために、モデルを想定して(Ta/Nb)Ox-CTLの膜厚に対するVfbシフトの実験データを検討した結果、(Ta/Nb)Ox-CTL/Al2O3-BL界面に電荷がトラップされることを明らかにした。 |
| （英） | We studied characteristics of the p-Si/SiO2/Al2O3-TL/(Ta/Nb)Ox-CTL/Al2O3-BL/Pt capacitors, fabricated by using ALD at 200 C and post metal annealing at 400 C. Difference of conduction band offset in the (Ta/Nb)Ox/Al2O3 structure was about 1.8 eV. The value is much larger than those of Si3N4/Al2O3 (0.4 eV), La2O3/Al2O3 (1.5 eV), and ZrO2/Al2O3 (1.4 eV) stack layers. The thickness of Al2O3-TL and Al2O3-BL affects flatband voltage shift (ΔVfb) value after programming at 1 mC/cm2. The ΔVfb in thinner Al2O3-TL (4 nm) easily decreases with increasing retention time under even a low bias voltage at -0.5 MV/cm. It is clear that the injected electron is dominantly trapped at (Ta/Nb)Ox-CTL/Al2O3-BL interface, based on experimental data from relationship between ΔVfb and thickness of (Ta/Nb)Ox-CTL. | |
| キーワード | （和） | Al2O3 / (Ta/Nb)Ox / チャージトラップフラッシュメモリ / ALD / / / / |
| （英） | Al2O3 / (Ta/Nb)Ox / Charge trap flash memory / ALD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-49, pp. 31-35, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-49 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer by ALD method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(2)（和/英） | (Ta/Nb)Ox / (Ta/Nb)Ox |
| キーワード(3)（和/英） | チャージトラップフラッシュメモリ / Charge trap flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物資・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 暁彦 / Akihiko Ohi / オオイ アキヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物資・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito / イトウ カズヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 誠 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyow / チキョウ トヨヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 物資・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 11:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-49 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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