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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-06-19 13:25 p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 ○山下敦史・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）  SDM2014-51 |
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| 抄録 | （和） | 我々が近年提案した最密クロスポイント配列のための不揮発性メモリ機能と整流特性を併せ持った2 端子抵抗変化型のp-Cu2O/SiOx/n-SiC 構造のpn メモリダイオードについて，低温化作製プロセスを検討した．SiC 層を従来の1113 K に変えて室温でスパッタ成膜し，電子捕獲SiOx 層を従来の1073 K でのSiC の熱酸化に変えて 室温でスパッタ成膜した．Cu2O はCu を473 K で熱酸化形成した．作製したメモリダイオードは優れた不揮発性 メモリ機能と整流特性を示した．本手法により，本メモリダイオードを473 K 以下で作製することを可能とし， 現行のLSI 作製プロセスへの適合範囲が広がると期待される． |
| （英） | We have studied low-temperature fabrication processes for our previously proposed two-terminal resistive nonvolatile p-Cu2O/SiOx/n-SiC structured pn memory diode. We form a SiC layer at room temperature (RT) instead of 1113 K by sputtering and an electron trap SiOx layer at RT by sputtering instead of thermal oxidation of SiC at 1073 K. The Cu2O is formed by oxidizing of Cu at 473 K. The low-temperature-fabricated memory diode exhibits both excellent nonvolatile memory function and rectifying behavior, which is suited for theoretically densest cross-point memory array. Thus, we can form the memory diode with process temperatures of less than 473 K, which match the current LSI fabrication processes. |
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| キーワード | （和） | 抵抗変化型不揮発性メモリ / クロスポイント配列 / / / / / / |
| （英） | Resistive nonvolatile memory / Cross-point memory array / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-51, pp. 43-47, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-51 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Temperature Fabrication Processes for p-Cu2O/SiOx/n-SiC structured pn memory diode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型不揮発性メモリ / Resistive nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | クロスポイント配列 / Cross-point memory array |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 敦史 / Atsushi Yamashita / ヤマシタ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. & Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 貴広 / Takahiro Tsukamoto / ツカモト タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. & Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 良幸 / Yoshiyuki Suda / スダ ヨシユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. & Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 13:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-51 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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