| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2014-06-20 13:40
リング発振器を用いたLSIの劣化推定法 池田龍史・○三浦幸也(首都大東京) DC2014-11 |
| 抄録 |
(和) |
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability(NBTI)やPositive Bias Temperature Instability(PBTI),Chanel Hot Carrier(CHC)と呼ばれる劣化現象がLSIの性能を低下させる主な要因となっている.これらの劣化現象によってトランジスタの動作速度が低下し,信号伝搬に遅延が生じることでLSIが誤動作してしまうという問題がある.本研究ではLSI内部に組み込んだ2種類のリング発振器の周期を用いてトランジスタ1個あたりの遅延の増加量を推定し,この値をもとにしてLSI内部で使用されるゲートの遅延時間を求め,その値を任意のパスに適用することにより測定回路を埋め込んでいないパスの劣化による伝搬遅延時間の増加を推定可能とした.また,劣化によって増加したトランジスタのしきい値についても推定可能にした.回路シミュレーションにより,LSI内部のパスの増加遅延時間を22.7%以内の誤差,トランジスタのしきい値の増加を0.6%以内の誤差で推定できることを確認した. |
| (英) |
Aging called Negative Bias Temperature Instability (NBTI), Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and Chanel Hot Carrier (CHC) occurs in nanoscale transistors, which is a major factor for degrading the performance of LSIs. Operating speed of transistors is decreased by aging, and LSI malfunctions by a delay in signal propagation. This paper presents a method for estimating the amount of increase in delay time of LSIs and a method for estimating the amount of increase in a threshold value per one transistor from change in the period of two ring oscillators by aging. It was verified by circuit simulation that the proposed method can estimate with an error of less than 22.7% of the delay time increase and an error of less than 0.6% of the threshold voltage increase. |
| キーワード |
(和) |
NBTI / PBTI / CHC / リング発振器 / 信号遅延 / 劣化 / / |
| (英) |
NBTI / PBTI / CHC / ring oscillators / signal delay / aging / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 99, DC2014-11, pp. 7-14, 2014年6月. |
| 資料番号 |
DC2014-11 |
| 発行日 |
2014-06-13 (DC) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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DC2014-11 |