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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-07-17 13:00 [Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の磁気異方性のMgO基板結晶方位依存性 ○松下直輝・藤野頼信・高村陽太（東工大）・園部義明（サムスン）・中川茂樹（東工大）  MR2014-8 |
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| 抄録 | （和） | ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金Co2MnSi(CMS)とPdの人工格子を異なる面方位の単結晶MgO基板上に作製し，その磁気異方性とMgO基板の面方位との関係を明らかにした．[CMS(0.6 nm)/Pd(2 nm)]6人工格子膜をMgO(100)，(110)，(111)基板上に作製したところ，それぞれ，面内，等方的，垂直磁気異方性を示した． |
| （英） | Multilayered superlattice films composed of half-metallic full-Heusler Co2MnSi (CMS) alloy and Pd films were fabricated on single crystal MgO substrates with different crystal orientation to evaluate relationship between magnetic anisotropy of the superlattice films and crystal orientation of MgO substrates. [CMS(0.6 nm)/Pd(2 nm)]6 superlattice films prepared on MgO(100), (110), and (111) substrates showed in-plane, isotropic, and perpendicular magnetic anisotropy, respectively. | |
| キーワード | （和） | ハーフメタル強磁性体 / フルホイスラー合金 / CMS / 人工格子 / 垂直磁気異方性 / 結晶方位 / / |
| （英） | half-metal ferromagnetic / full-Heusler alloys / Co2MnSi / superlattice / perpendicular magnetic anisotropy / crystal orientation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, 2014年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2014-07-10 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2014-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2014-07-17 - 2014-07-17 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 固体メモリ・媒体，一般 |
| テーマ（英） | Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2014-07-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の磁気異方性のMgO基板結晶方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Magnetic anisotropy of [Co2MnSi /Pd]n superlattice films prepared on MgO single crystal substrates with different crystal orientation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハーフメタル強磁性体 / half-metal ferromagnetic |
| キーワード(2)（和/英） | フルホイスラー合金 / full-Heusler alloys |
| キーワード(3)（和/英） | CMS / Co2MnSi |
| キーワード(4)（和/英） | 人工格子 / superlattice |
| キーワード(5)（和/英） | 垂直磁気異方性 / perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶方位 / crystal orientation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松下 直輝 / Naoki Matsushita / マツシタ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤野 頼信 / Yorinobu Fujino / フジノ ヨリノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園部 義明 / Yoshiaki Sonobe / ソノベ ヨシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社サムスン日本研究所 (略称： サムスン) Samsung R&D Institute Japan (略称： SRJ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-07-17 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2014-8 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.140 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-07-10 (MR) |
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