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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 11:45 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）  ED2014-55 |
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| 抄録 | （和） | 転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータに転位散乱を導入し，各種の特性を解析した．転位散乱は低電界において支配的であり，また電子密度が低いほど影響が強くなる．しかしながらgm,maxへの影響は比較的小さく，転位散乱の影響下においても1,500 GHzを超えるfTが得られた．この結果はInSb HEMTがテラヘルツ帯での動作が期待できるデバイスであることを示唆している． |
| （英） | To analyze the effects of the dislocation scattering on the device characteristics of the InSb HEMT, we introduce the dislocation scattering in the quantum corrected Monte Carlo (QC-MC) simulation. The dislocation scattering plays a dominant role at the low electric field, and it becomes more serious when the electric density is low. However, the dislocation scattering has lesser influence on gm,max, therefore the InSb HEMT exhibits the high fT more than 1,500 GHz even under the influence of the dislocation scattering. This result shows the InSb HEMT is promising for the terahertz operation. | |
| キーワード | （和） | InSb / HEMT / 転位散乱 / 量子補正モンテカルロ法 / / / / |
| （英） | InSb / HEMT / dislocation scattering / Quantum-Corrected monte carlo method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-55, pp. 13-18, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-55 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of effects of dislocation scattering on device characteristics of InSb HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 転位散乱 / dislocation scattering |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Quantum-Corrected monte carlo method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 初芝 正太 / Shota Hatsushiba / ハツシバ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長井 彰平 / Shohei Nagai / ナガイ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of science (略称： TUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ |
| 第7著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications (略称： NICT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of science (略称： TUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-55 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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