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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-01 11:20 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 ○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大）  ED2014-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-54 |
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| 抄録 | （和） | 次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-threshold Slopeと低いOFF電流が期待されている。しかしながら，ON電流は従来のMOSFETに比べ劣ってしまう。そこで急峻なSub-threshold Slopeを保ちつつ，高いON電流を得るために，トンネリングが生じる接合にヘテロ接合を用いることが有効的である。そこで本研究では，GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたTunnel FETの構造依存性をシミュレーションにより明らかにし，実験的に検証したのでこれを報告する。 |
| （英） | Tunnel FETs are attracted candidates as switching devices for the next generation. In the Tunnel FETs, steep Sub-threshold Slope and low OFF current are expected. However, the Tunnel FETs have the lower ON current than conventional MOSFETs. In order to keep steep Sub-threshold Slope and obtain high ON current, the use of heterojunction at the position where occurs in tunneling is effective in the Tunnel FETs. Therefore in this report, we revealed dependence of GaAsSb/InGaAs Tunnel FET on substrate structure in the simulation and verified experimentally. | |
| キーワード | （和） | Tunnel FET / サブスレッショルドスロープ / 有効酸化膜厚 / ボディ幅 / ヘテロ接合 / / / |
| （英） | Tunnel FET / Sub-threshold Slope / EOT / Body Width / heterojunction / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 168, ED2014-54, pp. 7-11, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ED2014-54 | |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2014-08-01 - 2014-08-01 |
| 開催地（和） | 機械振興会館B3-1室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2014-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Theoretical Characteristic and its Experimental Verification of GaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Tunnel FET / Tunnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | サブスレッショルドスロープ / Sub-threshold Slope |
| キーワード(3)（和/英） | 有効酸化膜厚 / EOT |
| キーワード(4)（和/英） | ボディ幅 / Body Width |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 一水 / Kazumi Ohashi / オオハシ カズミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤松 基彦 / Motohiko Fujimatsu / フジマツ モトヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-01 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2014-54 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.168 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-07-25 (ED) |
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