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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-04 11:15 積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化 ○野村隆夫・森 涼・高柳浩二・落合俊彦・福岡一樹・木田 剛・新居浩二・森田貞行（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2014-65 ICD2014-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-65 ICD2014-34 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、シリコン貫通ビア(TSV)技術を用いたWide IO DRAMコントローラチップを開発した。ファインピッチに配列されたTSVの間に配置された小型IOの内部に専用テスト回路を設けることで、チップ積層前にTSV接続不良を排除可能とした。また、512ビットのDQによる同時スイッチングノイズによるVminの悪化を改善するために、フルデジタルノイズモニタを用いたパッケージ-ボードのインピーダンス最適化の手法を提案する。本開発で我々は12.8GB/sでの動作と、LPDDR3と比較して89%の電力削減を達成した。 |
| （英） | We developed a Wide IO DRAM controller chip with Through Silicon Via (TSV) technology. Test circuitry is embedded in the micro-IOs placed between the fine pitch TSVs which can reject TSV connectivity failures prior to stacking process. In order to reduce Vmin degradation induced by 512 DQs simultaneously switching noise, we introduce a package-board impedance optimization method utilizing a full digital noise monitor. We achieved 12.8 GB/s operation, while IO power was reduced by 89 % compared to LPDDR3. | |
| キーワード | （和） | TSV / Wide IO DRAM / 積層前TSVテスト / フルデジタルノイズモニタ / 同時スイッチングノイズ / インピーダンス最適化 / / |
| （英） | TSV / Wide IO DRAM / pre-bonding test / fully digital noise monitor / simultaneous switching noise / impedance optimization / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 175, ICD2014-34, pp. 17-21, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ICD2014-34 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-65 ICD2014-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-65 ICD2014-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Testability Improvement for 12.8 GB/s Wide IO DRAM Controller with Small Area Prebonding TSV test and 1GHz Sampled Fully Digital Noise Monitor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TSV / TSV |
| キーワード(2)（和/英） | Wide IO DRAM / Wide IO DRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 積層前TSVテスト / pre-bonding test |
| キーワード(4)（和/英） | フルデジタルノイズモニタ / fully digital noise monitor |
| キーワード(5)（和/英） | 同時スイッチングノイズ / simultaneous switching noise |
| キーワード(6)（和/英） | インピーダンス最適化 / impedance optimization |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 隆夫 / Takao Nomura / ノムラ タカオ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 涼 / Ryo Mori / モリ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 浩二 / Koji Takayanagi / タカヤナギ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 落合 俊彦 / Toshihiko Ochiai / オチアイ トシヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福岡 一樹 / Kazuki Fukuoka / フクオカ カズキ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木田 剛 / Tsuyoshi Kida / キダ ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイイ コウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 貞行 / Sadayuki Morita / モリタ サダユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics corp. (略称： REL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-04 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2014-65, ICD2014-34 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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