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| 講演名 | 2014-08-05 13:05 ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2014-76 ICD2014-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-76 ICD2014-45 |
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| 抄録 | （和） | オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-FET）に関し、その開発状況を報告する。チャネルにワイドギャップアモルファス酸化物半導体InGaZnO (IGZO, 3.3eV)を用いたNFETが、ノーマリーオフ型NFET動作をし、比較的高い移動度、高オンオフ比を有すること、Si上に形成するLDMOSよりも低いARonが得られることを報告する。BEOL-FET適用範囲拡大に向けたCMOS化の取り組みに関しても報告する。Cu配線プロセス対応で高オンオフ比を有するPFETをアモルファスSnOという材料を用いて実現し、NFETとPFETを同一配線層上に組み込んだ相補型インバータ動作を実証した。また、BEOL-CMOS回路実現の第一ステップとして、六つのトランジスタから構成される6T-SRAMセルの動作実証を行った。 |
| （英） | We report on the latest progress on our proposed new transistor technology called BEOL-FET, in which we form oxide-based transistors in LSI interconnects, aiming at compact on-chip high-voltage interface realization. NFETs using wide-gap amorphous oxide semiconductor InGaZnO (IGZO, 3.3eV) as channel, are shown to exhibit normally-off characteristics, high mobility and high on/off ratio. A lower ARon has been achieved and is now lower than Si-LDMOS. We also report on our work on complementary FET enablement for making these devices applicable to wider range of applications. Cu-process-compatible PFETs are realized with high on/off ratio using amorphous SnO and demonstrate complementary inverter operation with NFET/PFET integrated on the same interconnect level. 6T-SRAM operation was verified as a first step towards BEOL-CMOS logic circuits. | |
| キーワード | （和） | BEOL-Tr / BEOL-FET / 酸化物半導体 / 高耐圧 / プリドライバ / IGZO / SnO / CMOS |
| （英） | BEOL-Tr / BEOL-FET / oxide semiconductor / high-VBD / pre-driver / IGZO / SnO / CMOS | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-76, pp. 77-82, 2014年8月. | |
| 資料番号 | SDM2014-76 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-76 ICD2014-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-76 ICD2014-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide Semiconductor-based Transistors Formed in LSI Interconnects |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BEOL-Tr / BEOL-Tr |
| キーワード(2)（和/英） | BEOL-FET / BEOL-FET |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 高耐圧 / high-VBD |
| キーワード(5)（和/英） | プリドライバ / pre-driver |
| キーワード(6)（和/英） | IGZO / IGZO |
| キーワード(7)（和/英） | SnO / SnO |
| キーワード(8)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura / スナムラ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古武 直也 / Naoya Furutake / フルタケ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 忍 / Shinobu Saito / サイトウ シノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成広 充 / Mitsuru Narihiro / ナリヒロ ミツル |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-05 13:05:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-76, ICD2014-45 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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