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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-05 10:50 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM ○横山佳巧・石井雄一郎・小嶋英充・宮西篤史・辻橋良樹・朝山 忍・柴 和利・田中浩二・福田達哉・新居浩二・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2014-74 ICD2014-43 |
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| 抄録 | （和） | 車載マイコン向けの40nmフラッシュ混載プロセスを用いて-40～170℃という広い温度範囲で安定動作可能なSRAMマクロの設計・製造・実測を行った。我々は125℃を超える高温で動作マージンと低リークを確保するため6T SRAMセルを最適化し、SNMを40mV改善しリーク電流を1/10に削減することに成功した。高信頼性を得るための回路として、スリープモード時のラッシュカレント抑制回路とスクリーニングテスト回路を提案します。テストチップではVDD-minimumのメディアン値が0.65V(@170℃)、リーク電力値が1.86μW/Mb(@25℃)、643μW/Mb(@170℃)という結果が得られている。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | SRAM / スタンバイ / リーク / MCU / 40nm / 170°C / / |
| （英） | SRAM / standby / leak / MCU / 40nm / 170°C / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 175, ICD2014-43, pp. 65-70, 2014年8月. | |
| 資料番号 | ICD2014-43 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-74 ICD2014-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 40nm ultra-low leakage SRAM at 170 deg.C operation for embedded flash MCU |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | スタンバイ / standby |
| キーワード(3)（和/英） | リーク / leak |
| キーワード(4)（和/英） | MCU / MCU |
| キーワード(5)（和/英） | 40nm / 40nm |
| キーワード(6)（和/英） | 170°C / 170°C |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 佳巧 / Yoshisato Yokoyama / ヨコヤマ ヨシサト |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 雄一郎 / Yuichiro Ishii / イシイ ユウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嶋 英充 / Hidemitsu Kojima / コジマ ヒデミツ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮西 篤史 / Atsushi Miyanishi / ミヤニシ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻橋 良樹 / Yoshiki Tsujihashi / ツジハシ ヨシキ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝山 忍 / Shinobu Asayama / アサヤマ シノブ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴 和利 / Kazutoshi Shiba / シバ カズトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 浩二 / Koji Tanaka / タナカ コウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 達哉 / Tatsuya Fukuda / フクダ タツヤ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳沢 一正 / Kazumasa Yanagisawa / ヤナギサワ カズマサ |
| 第11著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス? (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-05 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2014-74, ICD2014-43 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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