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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-05 09:50 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大）  SDM2014-72 ICD2014-41 |
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| 抄録 | （和） | 65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vmin) を測定し，統計的解析を行った．Vminは正規分布ではなく，対数正規分布に従うことを実測で示した．さらに，ワーストセルのVminの振る舞いは，平均的なセルのVminやスタティックノイズマージン (SNM) とは異なることを示し，大容量SRAMセルの安定性は，ワーストセルのVminで評価しなければならないことを明らかにした． |
| （英） | The minimum operation voltage (Vmin) of fully depleted (FD) silicon-on-thin-BOX (SOTB) SRAM cells are measured and statistically analyzed. It is newly found that Vmin deviates from a normal distribution and follows a log-normal distribution. Furthermore, it is found that the behaviors of the worst Vmin are different from the median Vmin or static noise margin (SNM), indicating that cell stability of high density SRAM must be judged by the worst Vmin. | |
| キーワード | （和） | ばらつき / 最低動作電圧 / FD SOI / / / / / |
| （英） | Variability / Minimum Operation Voltage / FD SOI / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 174, SDM2014-72, pp. 55-58, 2014年8月. | |
| 資料番号 | SDM2014-72 | |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-72 ICD2014-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2014-08-04 - 2014-08-05 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報教育館（札幌市） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Analysis of Minimum Operation Voltage (Vmin) in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(2)（和/英） | 最低動作電圧 / Minimum Operation Voltage |
| キーワード(3)（和/英） | FD SOI / FD SOI |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-05 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-72, ICD2014-41 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.174(SDM), no.175(ICD) |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-07-28 (SDM, ICD) |
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