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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-08-21 11:35 BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ ○井上大輔・李 智恩・平谷拓生・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 |
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| 抄録 | （和） | 集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として、銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技術が期待されている。我々は、オンチップ光配線用レーザ光源に要求される極低消費電力動作を達成できる構造として、半導体薄膜DFBレーザを提案している。今回、BCB貼り付けを用いてSi基板上に直接貼り付けした半導体薄膜レーザの室温連続動作を実現し、共振器長350 μm、ストライプ幅0.7 μmの素子においてしきい値電流2.5 mA、前端面からの外部微分量子効率22%を実現した。このファブリ・ペロー共振器構造薄膜レーザの外部微分量子効率の共振器長依存性より、内部量子効率は75%、導波路損失は42 cm-1と見積もられた。また、半導体薄膜レーザと光導波路の集積化に向けてButt-Joint再成長技術を用いて、Si基板上にBCB貼り付けした導波路集積形の半導体薄膜DFBレーザを試作した結果、共振器長50 μm、ストライプ幅0.8 μmの素子において、しきい値電流250 μAでの室温連続動作を実現した。 |
| （英） | On-chip optical interconnection technology which can replace copper electrical global wiring to optical wiring is expected as a promising solution for increasing RC delay and heating in large scale integrated circuit. We have proposed semiconductor membrane distributed-feedback laser which satisfies requirements for the light source of the on-chip optical interconnection. In this paper, room-temperature continuous-wave (RT-CW) operation of membrane laser bonded on Si subst. A threshold current of 2.5 mA and the differential quantum efficiency from the front facet of 22% were obtained for a Fabry-Perot cavity laser with the cavity length of 350 μm and the stripe width of 0.7 μm. From the cavity length dependence of the differential quantum efficiency, we obtained an internal quantum efficiency of 75% and a waveguide loss of 42 cm-1. Furthermore, for the integration of membrane laser with waveguide, we realized membrane distributed-feedback lasers integrated with butt-jointed passive waveguide bonded on Si substrate. As a results, a RT-CW operation of the waveguide integrated type membrane DFB laser with a threshold current of 250 μA for the cavity length of 50 μm and the stripe width of 0.8 μm. | |
| キーワード | （和） | 半導体薄膜レーザ / DFBレーザ / 光配線 / BCB貼り付け / Butt-Joint再成長 / / / |
| （英） | Semiconductor membrane laser / Distributed-feedback laser / Optical interconnection / BCB bonding / Butt-joint regrowth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 187, LQE2014-30, pp. 17-22, 2014年8月. | |
| 資料番号 | LQE2014-30 | |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2014-26 EMD2014-31 CPM2014-46 OPE2014-56 LQE2014-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD LQE OPE CPM R |
| 開催期間 | 2014-08-21 - 2014-08-22 |
| 開催地（和） | 小樽経済センター |
| 開催地（英） | Otaru Economy Center |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-08-EMD-LQE-OPE-CPM-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integrated waveguide type membrane DFB lasers by BCB bonding on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体薄膜レーザ / Semiconductor membrane laser |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / Distributed-feedback laser |
| キーワード(3)（和/英） | 光配線 / Optical interconnection |
| キーワード(4)（和/英） | BCB貼り付け / BCB bonding |
| キーワード(5)（和/英） | Butt-Joint再成長 / Butt-joint regrowth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 大輔 / Daisuke Inoue / イノウエ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 智恩 / Jieun Lee / イ ジウン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平谷 拓生 / Takuo Hiratani / ヒラタニ タクオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 厚地 祐輝 / Yuki Atsuji / アツジ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-08-21 11:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2014-26, EMD2014-31, CPM2014-46, OPE2014-56, LQE2014-30 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.183(R), no.184(EMD), no.185(CPM), no.186(OPE), no.187(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-08-14 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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