講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-03 09:30
携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 ○才田大輔・下村尚治・北川英二・鎌田親義・矢ヶ部 恵・大沢裕一・藤田 忍・伊藤順一(東芝) MR2014-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2014-18 |
抄録 |
(和) |
東芝では,スマートフォン等の携帯機器に搭載されているL2, L3キャッシュメモリにSTT-MRAMを用いることで,SRAMベースのキャッシュメモリと比較して性能を落とさずに消費電力を大幅に低減することを検討している.今回,直径20-50 nmのMTJを用いて,0.1-10 nsのパルス電流による磁化反転現象を解析モデルと比較し,低電流化に効く要因を調べた.直径21 nm素子において,2 ns,49 uAの電流で繰り返し書き込み動作ができることを確認した.この際の電荷量は98 fCであり,従来のMTJとそれを用いた回路で見積もっていた消費電力の削減量をさらに改善できるものと期待できる.また,dynamic領域での電流量低減には素子の微細化が有効であるという実験的な示唆を得た. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
STT-MRAM / MTJ / キャッシュメモリ / dynamic領域 / 磁化反転 / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 114, 2014年10月. |
資料番号 |
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発行日 |
2014-09-25 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
査読に ついて |
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