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講演抄録/キーワード
講演名 2014-10-10 13:50
ブロックデバイス非同期I/Oによるフラッシュストレージを用いたステンシル計算の性能評価
丹 英之緑川博子成蹊大/JSTCPSY2014-52
抄録 (和) 物理メモリを超えた問題サイズのステンシル計算を実行するため,テンポラルブロッキングによりデータ参照局所性を高めるアルゴリズムと共に,フラッシュストレージを拡張メモリとして用いる3種類の手法について検討した.入出力状況から,フラッシュストレージの特性に合う非同期i/o方式(aio)が有利であるが,デバイスのブロックサイズに依存したバウンダリ制約が生じ,演算時間に影響を及ぼすことがわかった.そこで,aio方式の最適化を検討ところ,blockで用いる3次元配列のメモリ領域は連続して確保すること,そして,x-y平面の領域間にページパディングを入れること,更に,内部ループブロックの形状を変更することで,既存の実装に比べ実行時間を約45%削減することが出来た. 
(英) In order to execute stencil calculations of the large scale problems beyond physical memory, we evaluated three different implementations with the temporal blocking locality-aware algorithm that uses a flash storage as an expanded memory. We also proposed an asynchronous i/o (aio) technique tuned for flash storages by analyzing a situation of i/o. However, compared with other techniques, the execution time of the aio technique is long because of boundary restrictions. Then, we investigated the optimization of the aio technique, and the reduced execution time by 45% by allocating blocks in a continuation memory space, padding page between x-y plain memory areas, and inner loop transformation.
キーワード (和) 不揮発性メモリ / フラッシュストレージ / ステンシル計算 / テンポラルブロッキング / 非同期I/O / / /  
(英) non-volatile memory / flash storage / stencil computation / temporal blocking / asynchronous i/o / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 242, CPSY2014-52, pp. 31-36, 2014年10月.
資料番号 CPSY2014-52 
発行日 2014-10-03 (CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPSY2014-52

研究会情報
研究会 CPSY  
開催期間 2014-10-10 - 2014-10-10 
開催地(和) 幕張メッセ国際会議場303会議室 
開催地(英) Meeting Room 303, International Conference Hall, Makuhari-Messe 
テーマ(和) ユーザを支えるコンピューティングおよび一般 
テーマ(英) Computer Systems for User-centric Application 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPSY 
会議コード 2014-10-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ブロックデバイス非同期I/Oによるフラッシュストレージを用いたステンシル計算の性能評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An Evaluation of Stencil Computation using Flash Storage with Asynchronous Block Device I/O 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / non-volatile memory  
キーワード(2)(和/英) フラッシュストレージ / flash storage  
キーワード(3)(和/英) ステンシル計算 / stencil computation  
キーワード(4)(和/英) テンポラルブロッキング / temporal blocking  
キーワード(5)(和/英) 非同期I/O / asynchronous i/o  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 丹 英之 / Hideyuki Tan / タン ヒデユキ
第1著者 所属(和/英) 成蹊大学/JST CREST (略称: 成蹊大/JST)
Seikei University/JST CREST (略称: Seikei Univ./JST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 緑川 博子 / Hiroko Midorikawa / ミドリカワ ヒロコ
第2著者 所属(和/英) 成蹊大学/JST CREST (略称: 成蹊大/JST)
Seikei University/JST CREST (略称: Seikei Univ./JST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-10-10 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPSY 
資料番号 CPSY2014-52 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.242 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2014-10-03 (CPSY) 


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