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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-10 13:25 SSDの書き込み特性の理論的解析 ○菅野伸一・矢尾 浩（東芝）・橋本大輔（TAEC）  CPSY2014-51 |
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| 抄録 | （和） | 本稿ではNAND 型フラッシュメモリを用いたSSD において，ランダムなアドレス順の書き込みに対しNAND 型フラッシュメモリの寿命と平均書き込み速度を最大にするためのガベージコレクションを含むメモリ管理手法について述べる．また，この手法を用いた場合のNAND 型フラッシュメモリのブロックサイズ，ページサイズやSSD 内に設けるガベージコレクションのためのNAND 型フラッシュメモリ上の余裕領域量，書き込むデータの粒度とNAND 型フラッシュメモリの消耗の指標である書き込み倍率(Write Amplification) と平均書き込み速度の関係について述べ，その理論的な限界を明らかにする．また，書き換え頻度の低いコールドデータが存在する場合の書き込み倍率を抑制する構成についても述べる． |
| （英） | Theoretical limitation of write amplification and write speed of solid state drives (SSDs) are affected by page size and block size of NAND flash memories, and also by amount of overprovisioning and granularity of written data. In this paper, a flash memory management method of SSDs is presented. A garbage collection algorithm of this method maximizes SSD endurance and average write speed in random write workload. Furthermore, a data management architecture is proposed. The architecture can reduce write amplification significantly when cold data which is not overwritten frequently exists. |
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| キーワード | （和） | SSD / NAND型フラッシュメモリ / 書き込み倍率 / 余裕領域量 / / / / |
| （英） | SSD / NAND Flash Memory / Write Amplification / Overprovisioning / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 242, CPSY2014-51, pp. 25-30, 2014年10月. | |
| 資料番号 | CPSY2014-51 | |
| 発行日 | 2014-10-03 (CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPSY2014-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPSY |
| 開催期間 | 2014-10-10 - 2014-10-10 |
| 開催地（和） | 幕張メッセ国際会議場303会議室 |
| 開催地（英） | Meeting Room 303, International Conference Hall, Makuhari-Messe |
| テーマ（和） | ユーザを支えるコンピューティングおよび一般 |
| テーマ（英） | Computer Systems for User-centric Application |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPSY |
| 会議コード | 2014-10-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SSDの書き込み特性の理論的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Write Amplification Analysis of the SSD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(2)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 書き込み倍率 / Write Amplification |
| キーワード(4)（和/英） | 余裕領域量 / Overprovisioning |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅野 伸一 / Shin-ichi Kanno / カンノ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA Corporation (略称： TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢尾 浩 / Hiroshi Yao / ヤオ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA Corporation (略称： TOSHIBA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 大輔 / Daisuke Hashimoto / |
| 第3著者 所属（和/英） | TOSHIBA America Electronic Components, Inc. (略称： TAEC) TOSHIBA America Electronic Components, Inc. (略称： TAEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-10 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPSY |
| 資料番号 | CPSY2014-51 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.242 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-10-03 (CPSY) |
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