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講演抄録/キーワード
講演名 2014-10-16 14:50
シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-85
抄録 (和) シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench isolation (STI)プロセス工程へ適用した.原子オーダー平坦面を維持するために,ゲート酸化前のアクティブ領域のシリコン酸化膜のエッチングは遮光した清浄窒素雰囲気で行い,また,ゲート酸化膜はKr/O2プラズマによるラジカル酸化により形成した.これにより,原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を有する電界効果MOSトランジスタが実現した.STIエッジ部における寄生チャネル形成を抑制するチャネルストップ注入の検討も行った.原子オーダー平坦界面界面を導入したことにより,ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐圧が向上した. 
(英) Atomically flattening technology was introduced to the widely-used complementary metal oxide silicon (CMOS) process employing sallow trench isolation (STI) with 0.22 m technology. To preserve atomically flat surface, wet etching processes before a gate oxidation were carried out in high-purity N2 ambience without light. The gate SiO2 film was formed by Kr/O2-plasma-generated oxygen radical oxidation to preserve atomically flatness. As a result, metal oxide silicon field effect transistors (MOSFETs) having atomically flat gate insulator/Si interface was realized. Channel stop ion implantation, which avoids generating parasitic channel at the STI edge for sub-threshold region, was also studied. Thanks to the introduction of the atomically flat interface, gate oxide reliability such as breakdown electric field was improved.
キーワード (和) 原子オーダー平坦シリコン / シャロートレンチアイソレーション / ラジカル酸化 / ゲート酸化膜信頼性 / / / /  
(英) Atomically Flat Si / Shallow Trench Isolation / Radical Oxidation / Gate Oxide Reliability / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-85, pp. 7-12, 2014年10月.
資料番号 SDM2014-85 
発行日 2014-10-09 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-85 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-85

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-10-16 - 2014-10-17 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Introduction of Atomically Flattening of Silicon Surface in Shallow Trench Isolation Process Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 原子オーダー平坦シリコン / Atomically Flat Si  
キーワード(2)(和/英) シャロートレンチアイソレーション / Shallow Trench Isolation  
キーワード(3)(和/英) ラジカル酸化 / Radical Oxidation  
キーワード(4)(和/英) ゲート酸化膜信頼性 / Gate Oxide Reliability  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤川 直矢 / Naoya Akagawa / アカガワ ナオヤ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 翔 / Xiang Li /
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小原 俊樹 / Toshiki Obara / オバラ トシキ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 大幾 / Daiki Kimoto / キモト ダイキ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊谷 勇喜 / Yuki Kumagai / クマガイ ユウキ
第11著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 浩 / Yutaka Kamata / カマタ ユタカ
第12著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 渋沢 勝彦 / Katsuhiko Shibusawa / シブサワ カツヒコ
第13著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-10-16 14:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-85 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.255 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2014-10-09 (SDM) 


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