講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-10-16 14:50
シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入 ○後藤哲也・黒田理人・赤川直矢・諏訪智之・寺本章伸・李 翔・小原俊樹・木本大幾・須川成利・大見忠弘(東北大)・熊谷勇喜・鎌田 浩・渋沢勝彦(ラピスセミコンダクタ宮城) SDM2014-85 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-85 |
抄録 |
(和) |
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench isolation (STI)プロセス工程へ適用した.原子オーダー平坦面を維持するために,ゲート酸化前のアクティブ領域のシリコン酸化膜のエッチングは遮光した清浄窒素雰囲気で行い,また,ゲート酸化膜はKr/O2プラズマによるラジカル酸化により形成した.これにより,原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を有する電界効果MOSトランジスタが実現した.STIエッジ部における寄生チャネル形成を抑制するチャネルストップ注入の検討も行った.原子オーダー平坦界面界面を導入したことにより,ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐圧が向上した. |
(英) |
Atomically flattening technology was introduced to the widely-used complementary metal oxide silicon (CMOS) process employing sallow trench isolation (STI) with 0.22 m technology. To preserve atomically flat surface, wet etching processes before a gate oxidation were carried out in high-purity N2 ambience without light. The gate SiO2 film was formed by Kr/O2-plasma-generated oxygen radical oxidation to preserve atomically flatness. As a result, metal oxide silicon field effect transistors (MOSFETs) having atomically flat gate insulator/Si interface was realized. Channel stop ion implantation, which avoids generating parasitic channel at the STI edge for sub-threshold region, was also studied. Thanks to the introduction of the atomically flat interface, gate oxide reliability such as breakdown electric field was improved. |
キーワード |
(和) |
原子オーダー平坦シリコン / シャロートレンチアイソレーション / ラジカル酸化 / ゲート酸化膜信頼性 / / / / |
(英) |
Atomically Flat Si / Shallow Trench Isolation / Radical Oxidation / Gate Oxide Reliability / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-85, pp. 7-12, 2014年10月. |
資料番号 |
SDM2014-85 |
発行日 |
2014-10-09 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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