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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-16 15:20 開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）  SDM2014-86 |
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| 抄録 | （和） | 超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では、開放型熱処理装置を用いてN2、ArおよびAr/H2の各雰囲気で熱処理を行い、Si表面平坦化プロセスに関する検討を行った。熱処理時の雰囲気、流量および温度の検討を行うことにより、開放型熱処理装置の排気側からの大気拡散を経路を狭めて流速を上げることにより低減させ、Ar/4.0%H2ガス雰囲気において1000℃ /5 minの熱処理時に形成されてしまうSiO2膜厚を、6.5 nmから2.0 nmまで低減することに成功した。 |
| （英） | It has been reported that the atomically flat surface of Si(100) is able to be obtained by annealing in ultra-pure Ar ambient. In this study, Si substrates were annealed under N2, Ar and Ar/H2 ambient to investigate Si surface flattening process utilizing atmospheric annealing system by changing ambient gas, flow rate and annealing temperature. The thickness of unintentionally formed SiO2 by 1000℃ /5 min annealing in Ar/4.0%H2 ambient was reduced from 6.5 nm to 2.0 nm by increasing the flow rate at the outlet side. | |
| キーワード | （和） | Si / 平坦化プロセス / 熱処理 / Ar/H2 / N2 / / / |
| （英） | Si / flattening process / annealing / Ar/H2 / N2 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-86, pp. 13-17, 2014年10月. | |
| 資料番号 | SDM2014-86 | |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-10-16 - 2014-10-17 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on Si surface flattening process utilizing atmospheric annealing system |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 平坦化プロセス / flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| キーワード(4)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(5)（和/英） | N2 / N2 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh / クドウ ソウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-16 15:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-86 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.255 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-10-09 (SDM) |
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