| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2014-10-17 13:00
[招待講演]電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析 ○土屋敏章(島根大) SDM2014-92 |
| 抄録 |
(和) |
ランダムテレグラフノイズ(RTN)に関与している酸化膜トラップにおける電子捕獲履歴現象を利用し,RTNを解析する新たな手法を提案する.この方法では,従来のように電子捕獲放出時間などの時間軸因子を用いるのではなく,酸化膜トラップの荷電状態の履歴を電流ヒストグラム(確率)によって評価する.また,RTNに関与している酸化膜トラップの数とそれらの荷電状態を判定する方法についても提案する.これらの方法は,従来法では評価が困難な,多値RTNに関与している個々の酸化膜トラップの評価に対して特に有用である. |
| (英) |
We propose a novel method for analyzing random telegraph noise (RTN) by using charging history effects on the traps participating in RTN. In this method, the variation in the frequency of the high/low drain current derived from RTN with the charging history is monitored instead of the time-scale parameters that are usually used. Moreover, we also propose a method to determine the number and charging conditions of the traps. These methods are particularly effective for characterizing individual oxide traps in multi-trap RTN. |
| キーワード |
(和) |
MOSFET / ランダムテレグラフノイズ / RTN / 電子捕獲履歴 / 酸化膜トラップ / / / |
| (英) |
MOSFET / Random Telegraph Noise / RTN / Charging History Effect / Oxide Traps / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-92, pp. 47-54, 2014年10月. |
| 資料番号 |
SDM2014-92 |
| 発行日 |
2014-10-09 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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SDM2014-92 |