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講演抄録/キーワード
講演名 2014-10-17 14:30
[招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2014-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-94
抄録 (和) 薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域で起こる伝播遅延時間(Tpd)ばらつきの急増が大きな課題である。本研究では、様々な論理回路のダイ間遅延ばらつきの抑制のために、P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御を提案し、実証した。 
(英) Small-variability transistors such as silicon on thin buried oxide (SOTB) are effective for reducing the operation voltage (Vdd). In the ultralow-Vdd regime, however, the upsurging delay (τpd) variability is the most important challenge. This paper proposes the balanced n/p drivability control method for reducing the die-to-die delay variation by back bias applicable for various circuits. Excellent variability reduction by this balanced control is demonstrated at Vdd = 0.4 V.
キーワード (和) SOTB / SOI / 基板バイアス / リングオシレータ / Tpd / ばらつき / 超低電圧 /  
(英) SOTB / SOI / back bias / ring oscillator / Tpd / variability / ultra-low voltage /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 255, SDM2014-94, pp. 61-68, 2014年10月.
資料番号 SDM2014-94 
発行日 2014-10-09 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-94

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-10-16 - 2014-10-17 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Back-Bias Control technique for Suppression of Die-to-Die Delay Variability of SOTB MOS Circuits at Ultralow-Voltage (0.4 V) Operation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(2)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(3)(和/英) 基板バイアス / back bias  
キーワード(4)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator  
キーワード(5)(和/英) Tpd / Tpd  
キーワード(6)(和/英) ばらつき / variability  
キーワード(7)(和/英) 超低電圧 / ultra-low voltage  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第7著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Communications)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-10-17 14:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-94 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.255 
ページ範囲 pp.61-68 
ページ数
発行日 2014-10-09 (SDM) 


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