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講演抄録/キーワード
講演名 2014-11-06 13:00
[招待講演]デバイス・シミュレーション ~ 30年間を振り返って ~
執行直之東芝SDM2014-100
抄録 (和) TCADは,デバイス開発に必須なツールとなっている.仮想的な試作により,開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設計に貢献している.デバイス・シミュレーションの30年間について,個人的な視点から述べる.特に, (1) 予測の確度と(2)実用性に係る物理モデルとメッシュ依存性に力点を置いて述べる. 
(英) TCAD is one of important tools for designing a semiconductor device. As a virtual fabrication, TCAD contributes to reduction in development time and robust design considering process fluctuations. More than 30 years’ experiences for a device simulation are described. In especial, (1) physical models and (2) mesh dependency are focused.
キーワード (和) TCAD / 物理モデル / 逆ナロー・チャネル効果 / 不純物ゆらぎ / 少数キャリア移動度 / バンドギャップ・ナローイング / メッシュ依存性 / フラッシュ・メモリ  
(英) TCAD / Physical Model / Inverse Narrow-channel Effect / Random Dopant Fluctuation / Minority Carrier Mobility / Bandgap Narrowing / Mesh Dependency / Flash Memory  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-100, pp. 25-30, 2014年11月.
資料番号 SDM2014-100 
発行日 2014-10-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2014-100

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2014-11-06 - 2014-11-07 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2014-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デバイス・シミュレーション 
サブタイトル(和) 30年間を振り返って 
タイトル(英) Device simulation 
サブタイトル(英) More than 30 years in Toshiba's TCAD 
キーワード(1)(和/英) TCAD / TCAD  
キーワード(2)(和/英) 物理モデル / Physical Model  
キーワード(3)(和/英) 逆ナロー・チャネル効果 / Inverse Narrow-channel Effect  
キーワード(4)(和/英) 不純物ゆらぎ / Random Dopant Fluctuation  
キーワード(5)(和/英) 少数キャリア移動度 / Minority Carrier Mobility  
キーワード(6)(和/英) バンドギャップ・ナローイング / Bandgap Narrowing  
キーワード(7)(和/英) メッシュ依存性 / Mesh Dependency  
キーワード(8)(和/英) フラッシュ・メモリ / Flash Memory  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 執行 直之 / Naoyuki Shigyo / シギョウ ナオユキ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-11-06 13:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2014-100 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数
発行日 2014-10-30 (SDM) 


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