講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-06 10:05
非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久(関西大)・アブヒジット マリック(カルカッタ大) SDM2014-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-96 |
抄録 |
(和) |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャネル領域に空乏近似、伝導方向に対して垂直方向に3次関数を仮定し、ポアソン方程式を解析的に解く事で非対称電圧印加条件におけるADG-TFETの静電ポテンシャルと電界強度分布を導出した。ソース・ドレイン方向、及び垂直方向の電界強度を導出し、両方向の電界分布を用いてKaneモデルによるチャネル内のトンネリング生成率を計算することでトンネリング電流を導出した。解析ポテンシャルモデルとトンネリング電流について商用TCADのシミュレーション結果と比較することによってモデル精度の確認を行った。 |
(英) |
In this paper, a two-dimensional analytical potential model for the asymmetric double-gate tunnel field transistor (ADG-TFET) is proposed. The accurate electrostatic potential and electric field of the asymmetric gate device are obtained by solving the Poisson equation with the depletion approximation and suitable boundary conditions in the channel region. Analytical expressions are derived for the surface potential, the electric field along the channel and the vertical electric field. Both electric fields distribution are further used to calculate the tunneling generation rate and thus the tunneling current is calculated. The analytical solutions like potential, electric field and drain current are verified by comparing with the technology computer aided design (TCAD) simulation results. |
キーワード |
(和) |
非対称ダブルゲート / トンネルFET / ポアソン方程式 / TCAD / / / / |
(英) |
Asymmetric double gate / tunnel field effect transistor / Poisson equation / technology computer aided design / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-96, pp. 1-6, 2014年11月. |
資料番号 |
SDM2014-96 |
発行日 |
2014-10-30 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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