講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-11-07 11:15
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬(神戸大)・鎌倉良成・森 伸也(阪大)・宇野重康(立命館大)・小川真人(神戸大) SDM2014-105 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-105 |
抄録 |
(和) |
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的極限にまで微細化されたSi MOSFETのデバイス特性を議論する。特に、チャネル長が10 nm以下になると、チャネルの薄層化によってチャネル膜厚ゆらぎ散乱が増大し、MOSFETのバリスティック効率、すなわちオン電流が急激に低下することを明らかにする。また、準バリスティック輸送係数のゲート及びドレイン電圧依存性についても検討を行う。 |
(英) |
Recently, we have developed a Monte Carlo simulator for accurately extracting quasi-ballistic transport parameters in MOSFETs. In this paper, using the Monte Carlo simulator we discuss the device performance of Si double-gate MOSFETs scaled down to a sub-10 nm channel length. It is found that ballistic transport in double-gate MOSFETs is degraded when the channel length decreases to less than 10 nm, owing to surface roughness scattering intensified by channel thickness fluctuation along the transport direction. The gate and drain bias voltage dependencies of ballistic efficiency are also discussed. |
キーワード |
(和) |
準バリスティック輸送 / モンテカルロ法 / 極薄チャネル構造 / チャネル膜厚ゆらぎ / / / / |
(英) |
Quasi-Ballistic Transport / Monte Carlo Method / Ultrathin Body Structure / Channel Thickness Fluctuation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 291, SDM2014-105, pp. 53-58, 2014年11月. |
資料番号 |
SDM2014-105 |
発行日 |
2014-10-30 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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